Silicon Laboratories, Inc.

描述

LVCMOS 四频率，时钟振荡器，0.032 - 100 MHz

频率

0.032 - 100 MHz

输出波形

LVCMOS

频率稳定度

+/-20至50 ppm

工作温度

-40至85 ℃

供电电压

1.8 - 3.3 V

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Silicon Laboratories, Inc.

描述

LVCMOS 单频率，时钟振荡器，0.032 - 100 MHz

频率

0.032 - 100 MHz

输出波形

LVCMOS

频率稳定度

+/-20至50 ppm

工作温度

-40至85 ℃

供电电压

1.8 - 3.3 V

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Silicon Laboratories, Inc.

描述

LVCMOS 双频率，时钟振荡器，0.032 - 100 MHz

频率

0.032 - 100 MHz

输出波形

LVCMOS

频率稳定度

+/-20至50 ppm

工作温度

-40至85 ℃

供电电压

1.8 - 3.3 V

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Silicon Laboratories, Inc.

描述

1.8 - 3.3 V，表贴XO，10 - 810 MHz

频率

10 - 810 MHz

供电电压

1.8 - 3.3 V

频率稳定度

+/-30至100 ppm

工作温度

-40至 85 ℃

封装类型

表贴

输出波形

LVPECL，LVDS，CML，CMOS

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Silicon Laboratories, Inc.

描述

1.8 - 3.3 V，表贴XO，10 MHz - 1.4 GHz

频率

10 MHz - 1.4 GHz

供电电压

1.8 - 3.3 V

温度稳定度

+/-20至 61.5 ppm

工作温度

-40至 85 ℃

封装类型

表贴

输出波形

LVPECL，LVDS，CML，CMOS

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Silicon Laboratories, Inc.

描述

1.8 - 3.3 V，表贴XO，10 - 810 MHz

频率

10 - 810 MHz

供电电压

1.8 - 3.3 V

频率稳定度

+/-30至100 ppm

工作温度

-40至 85 ℃

封装类型

表贴

输出波形

LVPECL，LVDS，CML，CMOS

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Silicon Laboratories, Inc.

描述

1.8 - 3.3 V，表贴XO，10 MHz - 1.4 GHz

频率

10 MHz - 1.4 GHz

供电电压

1.8 - 3.3 V

温度稳定度

+/-20至 61.5 ppm

工作温度

-40至 85 ℃

封装类型

表贴

输出波形

LVPECL，LVDS，CML，CMOS

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Silicon Laboratories, Inc.

描述

1.8 - 3.3 V，表贴XO，10 MHz - 1.4 GHz

频率

10 MHz - 1.4 GHz

供电电压

1.8 - 3.3 V

温度稳定度

+/-20至 61.5 ppm

工作温度

-40至 85 ℃

封装类型

表贴

输出波形

LVPECL，LVDS，CML，CMOS

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Silicon Laboratories, Inc.

描述

1.8 - 3.3 V，表贴XO，0.1 - 250 MHz

频率

0.1 - 250 MHz

供电电压

1.8 - 3.3 V

频率稳定度

+/-30至100 ppm

工作温度

-40至 85 ℃

封装类型

表贴

输出波形

LVPECL，LVDS，HCSL，CMOS，双 CMOS

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Silicon Laboratories, Inc.

描述

1.8 - 3.3 V，表贴XO，10 - 810 MHz

频率

10 - 810 MHz

供电电压

1.8 - 3.3 V

频率稳定度

+/-30至100 ppm

工作温度

-40至 85 ℃

封装类型

表贴

输出波形

LVPECL，LVDS，CML，CMOS

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