MtronPTI

频率

10 MHz - 38.88 MHz

输出波形

CMOS，削顶正弦波

供电电压

3.0 V, 3.3 V, 5.0 V

工作温度

-40 ℃至+85 ℃

封装类型

表贴

温度稳定度

EEC 选项 1 (±2.0 ppm) EEC 选线 2 (±0.34 ppm)

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MtronPTI

频率

8 MHz - 52 MHz

输出波形

CMOS，削顶正弦波

供电电压

3.0 V, 3.3 V, 5.0 V

工作温度

-40 ℃至+85 ℃

封装类型

表贴

温度稳定度

±0.10 ppm，±0.14 ppm，±0.2 ppm，±0.3 ppm，±0.5 ppm，±1.0 ppm，±2.0 ppm，±2.5 ppm，±4.6 ppm

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MtronPTI

频率

8 MHz - 52 MHz

输出波形

CMOS，削顶正弦波

供电电压

3.0 V, 3.3 V, 5.0 V

工作温度

-40 ℃至+85 ℃

封装类型

表贴

温度稳定度

充分的层3协议，±4.6 ppm w/延时

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MtronPTI

频率

12.6 MHz - 26 MHz

输出波形

削顶正弦波

供电电压

3.0 V

工作温度

-40 ℃至+85 ℃

封装类型

表贴

温度稳定度

±1.5 ppm，±2.5 ppm，±5.0 ppm

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MtronPTI

频率

8 MHz - 38.88 MHz

输出波形

CMOS，削顶正弦波

供电电压

3.0 V, 3.3 V, 5.0 V

工作温度

-40 ℃至+85 ℃

封装类型

表贴

温度稳定度

充分的层3协议，±4.6 ppm w/延时

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MtronPTI

频率

8 MHz - 52 MHz

输出波形

CMOS，削顶正弦波

供电电压

3.0 V, 3.3 V, 5.0 V

工作温度

-40 ℃至+85 ℃

封装类型

表贴

温度稳定度

±0.10 ppm，±0.14 ppm，±0.2 ppm，±0.3 ppm，±0.5 ppm，±1.0 ppm，±2.0 ppm，±2.5 ppm，±4.6 ppm

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MtronPTI

描述

10 MHz - 52 MHz，0.5 ppm，削顶正弦波或HCMOS Tx，通信和基站

频率

10 - 52 MHz

输出波形

削顶正弦波，HCMOS

供电电压

2.85 - 3.15 V

工作温度

-40 ℃至+85 ℃

封装类型

表贴

温度稳定度

±0.2 ppm，±0.5 ppm，±1.0 ppm，±2.5 ppm

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MtronPTI

频率

8 MHz - 52 MHz

输出波形

CMOS，削顶正弦波

供电电压

3.0 V, 3.3 V, 5.0 V

工作温度

-40 ℃至+85 ℃

封装类型

表贴

温度稳定度

充分的层3协议，±4.6 ppm w/延时

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MtronPTI

频率

8 MHz - 52 MHz

输出波形

CMOS，削顶正弦波

供电电压

3.0 V, 3.3 V, 5.0 V

工作温度

-40 ℃至+85 ℃

封装类型

表贴

温度稳定度

±0.2 ppm，±0.3 ppm，±0.5 ppm，±1.0 ppm，±2.0 ppm，±2.5 ppm，±4.6 ppm

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MtronPTI

频率

10 MHz - 52 MHz

输出波形

削顶正弦波

供电电压

3.0 V

工作温度

-40 ℃至+85 ℃

封装类型

表贴

温度稳定度

±0.5 ppm，±1.0 ppm，±2.5 ppm

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