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宽带低噪声放大器，采用 SiGe 工艺制造的单片集成电路

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电压输出型 8位 D/A转换器，采用LC2 MOS工艺制作的半导体集成电路

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12位 D/A转换器，采用硅栅自对准CMOS工艺制造的单片集成电路

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多路开关功率放大器，采用MCM工艺制造的厚膜混合电路

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PWM 功率放大器，采用8引线TO-8C密封式封装，该电路可直接替代美国APEX公司的SA51

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PWM 功率放大器，采用厚膜BeO 基版以MCM工艺制造的PWM功率放大器混合电路

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宽带低噪声放大器，采用锗硅工艺制造的单片集成电路

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8 路14位A/D转换器，采用CMOS工艺制造的单片集成电路

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宽带低功耗电流反馈型放大器，采用互补双极工艺制造的单片集成电路

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宽带放大器，采用锗硅工艺制造的单片集成电路

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