Connor-Winfield
- 描述
- 1.0 - 52 MHz，3.3 V Tx
- 频率
- 1.0 - 52 MHz
- 输出波形
- LVCMOS
- 供电电压
- 3.3 V
- 频率稳定度
- +/-0.28至2.5 ppm
- 工作温度
- -20至70 ℃
- 封装类型
- DIP
Connor-Winfield
- 描述
- 12.8 - 155.52 MHz，3.3 V Tx
- 频率
- 12.8 - 155.52 MHz
- 输出波形
- LVCMOS
- 供电电压
- 3.3 V
- 工作温度
- 0至70 ℃
- 封装类型
- 表贴
Connor-Winfield
- 描述
- 6.4 - 52 MHz，3.3 V Tx
- 频率
- 6.4 - 52 MHz
- 输出波形
- 削顶正弦波
- 供电电压
- 3.3 V
- 频率稳定度
- +/-0.28至2.5 ppm
- 工作温度
- -20至70 ℃
- 封装类型
- DIP
Connor-Winfield
- 描述
- 6.4 - 52 MHz，5.0 V Tx
- 频率
- 6.4 - 52 MHz
- 输出波形
- 削顶正弦波
- 供电电压
- 5.0 V
- 频率稳定度
- +/-0.28至2.5 ppm
- 工作温度
- -40至85 ℃
- 封装类型
- DIP
Connor-Winfield
- 描述
- 6.4 - 52 MHz，3.3 V Tx
- 频率
- 6.4 - 52 MHz
- 输出波形
- 削顶正弦波
- 供电电压
- 3.3 V
- 频率稳定度
- +/-0.28至2.5 ppm
- 工作温度
- -40至85 ℃
- 封装类型
- DIP
Connor-Winfield
- 描述
- 10 - 16.367 MHz，3.3 V Tx
- 频率
- 10 - 16.367 MHz
- 输出波形
- LVCMOS，削顶正弦波
- 供电电压
- 3.3 V
- 频率稳定度
- +/-0.2 ppm
- 工作温度
- -40至55 ℃
- 封装类型
- 表贴
Connor-Winfield
- 描述
- 10 - 40 MHz，2.8 V Tx
- 频率
- 10 - 40 MHz
- 输出波形
- 削顶正弦波
- 供电电压
- 2.8 V
- 频率稳定度
- +/-0.5至2.0 ppm
- 工作温度
- -40至85 ℃
- 封装类型
- 表贴
Connor-Winfield
- 描述
- 6.4 - 40 MHz，3.3 V Tx
- 频率
- 6.4 - 40 MHz
- 输出波形
- 削顶正弦波
- 供电电压
- 3.3 V
- 频率稳定度
- +/-0.28至1.0 ppm
- 工作温度
- 0至85 ℃
- 封装类型
- 表贴
Connor-Winfield
- 描述
- 6.4 - 40 MHz，3.3 V Tx
- 频率
- 6.4 - 40 MHz
- 输出波形
- LVCMOS，削顶正弦波
- 供电电压
- 3.3 V
- 频率稳定度
- +/-0.28 ppm
- 工作温度
- -20至70 ℃
- 封装类型
- 表贴
Connor-Winfield
- 描述
- 6.4 - 40 MHz，3.3 V Tx
- 频率
- 6.4 - 40 MHz
- 输出波形
- 削顶正弦波
- 供电电压
- 3.3 V
- 频率稳定度
- +/-0.28至1.0 ppm
- 工作温度
- 0至70 ℃
- 封装类型
- 表贴
