RFDDC1G4G20N

RF-Lambda

描述
双定向耦合器
频率
1 至 4 GHz
耦合度
20dB
方向性
20
插入损耗
0.5 dB
连接器类型
N

RFDDC1G18G30

RF-Lambda

描述
双定向耦合器
频率
1 至 18 GHz
耦合度
30dB
方向性
12
插入损耗
0.8 dB
连接器类型
SMA

RFDDC1G4G30N

RF-Lambda

描述
双定向耦合器
频率
1 至 4 GHz
耦合度
30dB
方向性
18
插入损耗
0.4 dB
连接器类型
N

RFDDC4G18G30N

RF-Lambda

描述
双定向耦合器
频率
4 至 18 GHz
耦合度
30dB
方向性
10
插入损耗
0.8 dB
连接器类型
N

RFDDC2G2G50

RF-Lambda

描述
双定向耦合器
频率
2300 至 2370 MHz
耦合度
30/50 dB
方向性
20 dB
插入损耗
0.5 dB
VSWR
1.3:1
封装类型
带连接器模组
连接器类型
N型

RFDDC5M18G30N

RF-Lambda

描述
双定向耦合器
频率
0.5 至 18 GHz
耦合度
30dB
方向性
10
插入损耗
1.2 dB
连接器类型
N

RFDDC1M2G20

RF-Lambda

描述
双定向耦合器
频率
110 至 2000 MHz
耦合度
20 dB
方向性
22 dB
插入损耗
0.5 dB
VSWR
1.25:1
封装类型
带连接器模组
连接器类型
N型

RFDDC1G4G10

RF-Lambda

描述
双定向耦合器
频率
1 至 4 GHz
耦合度
10dB
方向性
20
插入损耗
0.5 dB
连接器类型
SMA

RFDDC2G8G15

RF-Lambda

描述
双定向耦合器
频率
2 至 8 GHz
耦合度
15dB
方向性
20
插入损耗
0.5 dB
连接器类型
SMA

RFDDC8G18G30

RF-Lambda

描述
双定向耦合器
频率
8 至 18 GHz
耦合度
30dB
方向性
10
插入损耗
0.9 dB
连接器类型
N

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛