MM3Z3V0ST1G

ON Semiconductor

描述
2.9至3.11 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
2.9至3.11 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

BZX84C5V6ET1G

ON Semiconductor

描述
5.2至6 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
5.2至6 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MM3Z16VST1G

ON Semiconductor

描述
15.85至16.51 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
15.85至16.51 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MMSZ5258ET1G

ON Semiconductor

描述
34.2至37.8 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
34.2至37.8 V
齐纳电流
3.4 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MMSZ4683T1G

ON Semiconductor

描述
2.85至3.15 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
2.85至3.15 V
齐纳电流
50 uA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MMSZ5232BT1G

ON Semiconductor

描述
5.32至5.88 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
5.32至5.88 V
齐纳电流
20 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MMSZ5263ET1G

ON Semiconductor

描述
53.2至58.8 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
53.2至58.8 V
齐纳电流
2.2 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZX84B5V1LT1G

ON Semiconductor

描述
5至5.2 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
5至5.2 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

BZX84B5V6LT1G

ON Semiconductor

描述
5.49至5.71 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
5.49至5.71 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

BZX84C18ET1G

ON Semiconductor

描述
16.8至19.1 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
16.8至19.1 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

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