MMBZ5240ELT1/T3G

ON Semiconductor

描述
9.5至10.5 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
9.5至10.5 V
齐纳电流
20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMBZ5244ELT1/T3G

ON Semiconductor

描述
13.3至14.7 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
13.3至14.7 V
齐纳电流
9 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

1N5944B, G

ON Semiconductor

描述
58.9至65.1 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
58.9至65.1 V
齐纳电流
6 mA
功率
3 W
封装类型
表面封装

BZX84C10LT1G

ON Semiconductor

描述
9.4至10.6 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
9.4至10.6 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

1N5937B, G

ON Semiconductor

描述
31.35至34.65 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
31.35至34.65 V
齐纳电流
11.4 mA
功率
3 W
封装类型
表面封装

1PMT5933BT1G

ON Semiconductor

描述
20.9至23.1 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
20.9至23.1 V
齐纳电流
17 mA
功率
3.2 W
封装类型
表面封装

MMSZ5236BT1G

ON Semiconductor

描述
7.13至7.88 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
7.13至7.88 V
齐纳电流
20 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

1PMT5924BT1G

ON Semiconductor

描述
8.64至9.56 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
8.64至9.56 V
齐纳电流
41.2 mA
功率
3.2 W
封装类型
表面封装

MMSZ5230BT1G

ON Semiconductor

描述
4.47至4.94 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
4.47至4.94 V
齐纳电流
20 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZX84C68LT1G

ON Semiconductor

描述
64至72 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
64至72 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

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