MM3Z5V1T1G

ON Semiconductor

描述
4.8至5.4 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
4.8至5.4 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MMBZ5235BLT1G

ON Semiconductor

描述
6.46至7.14 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
6.46至7.14 V
齐纳电流
20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

1N5353B

ON Semiconductor

描述
15.2至16.8 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
15.2至16.8 V
齐纳电流
75 mA
功率
5 W
封装类型
表面封装

MMSZ3V9ET1G

ON Semiconductor

描述
3.71至4.1 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
3.71至4.1 V
齐纳电流
1, 5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MMBZ9V1ALT1G

ON Semiconductor

描述
8.65至9.56 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
8.65至9.56 V
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMSZ5254BT1G

ON Semiconductor

描述
25.65至28.35 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
25.65至28.35 V
齐纳电流
4.6 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MMBZ5254BLT1G

ON Semiconductor

描述
25.65至28.35 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
25.65至28.35 V
齐纳电流
4.6 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMSZ5269BT1G

ON Semiconductor

描述
82.65至91.35 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
82.65至91.35 V
齐纳电流
1.4 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MMSZ15T1G

ON Semiconductor

描述
14.25至15.75 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
14.25至15.75 V
齐纳电流
1, 5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MMSZ5252BT1G

ON Semiconductor

描述
22.8至25.2 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
22.8至25.2 V
齐纳电流
5.2 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛