HPK2F

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
1800 - 2200 MHz,HybriX PTFE 混合耦合器
频率
1800 - 2200 MHz
隔离度
20 dB
插入损耗
0.2 dB
平均功率
100 Watts
VSWR
1.2:1
封装类型
表贴

HVL3F

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
2000 - 2300 MHz,LTCC 混合耦合器
频率
2000 - 2300 MHz
隔离度
24 dB
插入损耗
0.35 dB
平均功率
5 Watts
VSWR
1.2:1
封装类型
表贴

HMM3F

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
2200 - 2400 MHz,LTCC 混合耦合器
频率
2200 - 2400 MHz
隔离度
23 dB
插入损耗
0.15 dB
平均功率
100 Watts
VSWR
1.2:1
封装类型
表贴

HDJ2F

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
1700 - 2000 MHz,HybriX PTFE 混合耦合器
频率
1700 - 2000 MHz
隔离度
24 dB
插入损耗
0.12 dB
平均功率
200 Watts
VSWR
1.15:1
封装类型
表贴

HPT3F

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
620 - 900 MHz,LTCC 混合耦合器
频率
620 - 900 MHz
隔离度
23 dB
插入损耗
0.18 dB
平均功率
150 Watts
VSWR
1.15:1
封装类型
表贴

HAJ3F

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
1700 - 2000 MHz,LTCC 混合耦合器
频率
1700 - 2000 MHz
隔离度
21 dB
插入损耗
0.12 dB
平均功率
300 Watts
VSWR
1.2:1
封装类型
表贴

HPQ2F

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
2700 - 3200 MHz,HybriX PTFE 混合耦合器
频率
2700 - 3200 MHz
隔离度
23 dB
插入损耗
0.18 dB
平均功率
50 Watts
VSWR
1.15:1
封装类型
表贴

HMD2F

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
815 - 960 MHz,HybriX PTFE 混合耦合器
频率
815 - 960 MHz
隔离度
25 dB
插入损耗
0.22 dB
平均功率
100 Watts
VSWR
1.2:1
封装类型
表贴

HPO3F

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
2300 - 2800 MHz,LTCC 混合耦合器
频率
2300 - 2800 MHz
隔离度
26 dB
插入损耗
0.15 dB
平均功率
80 Watts
VSWR
1.2:1
封装类型
表贴

HAA3F

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
180 - 210 MHz,LTCC 混合耦合器
频率
180 - 210 MHz
隔离度
20 dB
插入损耗
0.3 dB
平均功率
200 Watts
VSWR
1.2:1
封装类型
表贴

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