Skyworks

描述

低压控制:0和3.3V；低插损:0.60dB；出色的线性性能；QFN(6-pin,1.5x1.5x0.45mm)封装

频率

0.1 - 6 GHz

插入损耗

0.45 - 0.60 dB

隔离度

22-21 dB

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Skyworks

描述

带宽:100MHz–6GHz；低插损：0.5dB；高线性度:IIP3=53dBm；QFN-62x3mm封装引线无铅

频率

0.1 - 6 GHz

插入损耗

0.4 - 0.55 dB

隔离度

26-18 dB

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Skyworks

描述

电压控制(0-5V)；低插损：0.5dB；高隔离度>35dB

频率

0.02 - 5 GHz

插入损耗

0.3 - 0.75 dB

隔离度

30-22 dB

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Skyworks

描述

正电压控制(0-3.3V)；高隔离度：25dB；低损耗：0.6dB

频率

3 - 8 GHz

插入损耗

0.7 - 0.9 dB

隔离度

25-22 dB

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Skyworks

描述

带宽:20MHz–2.5GHz；低插损：0.4dB；输入功率压缩:0.1dB@>40dBm；高隔离度:26dB；低电流消耗:<100μA@3V

频率

0.02 - 2.5 GHz

插入损耗

0.4 - 0.55 dB

隔离度

26-18 dB

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Skyworks

描述

频率范围:20MHz-2.5GHz；低插损：0.4dB；高隔离度:26dB；裸pHEMT芯片:1355x830x200μm单片晶元安装薄膜框架

频率

0.02 - 2.5 GHz

插入损耗

0.4 - 0.55 dB

隔离度

26-18 dB

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Skyworks

描述

频率范围:20MHz-2.5GHz；低插损：0.4dB；高隔离度:26dB；裸pHEMT裸片:1355x830x200μm单片晶元

频率

0.02 - 2.5 GHz

插入损耗

0.4 - 0.55 dB

隔离度

26-18 dB

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Skyworks

描述

电压控制(0-5V)；高隔离度：64dB；集成CMOS硅驱动器；无反射

频率

0.1 - 6 GHz

插入损耗

0.8 - 1.5 dB

隔离度

62-42 dB

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Skyworks

描述

高线性度48dBm；IIP3高功率P-1dB：>32dBm；低电压控制：3V

频率

0.1 - 6 GHz

插入损耗

0.5 - 0.6 dB

隔离度

21-20 dB

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Skyworks

描述

单偏置控制：1.8V；低直流功率消耗；引线无铅

频率

0.5 - 3 GHz

插入损耗

0.5 - 0.75 dB

隔离度

28-20 dB

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