Integrated Device Technology

描述

50 MHz至6 GHz，电压可变射频衰减器

类型

电压可变衰减器

频率

50 至 6000 MHz

衰减范围

33.6 dB

封装类型

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Integrated Device Technology

描述

1 MHz - 3 GHz 硅基电压可变RF 衰减器

频率

1 - 3000 MHz

衰减范围

33 - 34.6 dB

功率

3.16 W (output - IP3)

封装类型

表贴

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Integrated Device Technology

描述

50 MHz - 6 GHz 硅基电压可变RF 衰减器

频率

50 - 6000 MHz

衰减范围

34 - 35 dB

功率

1.25 W (Output - IP3)

封装类型

表贴

阻抗

50 Ohms

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