T1G6001528-Q3

Triquint

描述
18 W,28 V,DC - 6 GHz,GaN RF功率晶体管
频率
0 - 6000 MHz
供电电压
28 V
电流
50 mA
增益
15 dB
功率(W)
17.783 W, 42.5 dBm

FP1189-G

Triquint

描述
0.5 Watt GaAs HFET
频率
50 - 4000 MHz
供电电压
8 V
电流
125 mA
增益
19 dB
功率(W)
0.501 W, 27 dBm

TGF4230-SCC

Triquint

描述
1.2 mm HFET
频率
0 - 12000 MHz
供电电压
8 V
电流
96 mA
增益
10 dB
功率(W)
0.708 W, 28.5 dBm

T1G2028536-FS

Triquint

描述
285W GaN RF功率晶体管 ,DC - 2 GHz
频率
DC - 2 GHz
增益
19.4 - 20.8 dB

T2G6001528-Q3

Triquint

描述
18 W,28 V,DC - 6 GHz GaN RF功率晶体管
频率
0 - 6000 MHz
供电电压
28 V
增益
15 dB
功率(W)
18 W
封装类型
陶瓷,法兰

CLY2

Triquint

描述
GaAs FET
频率
0 - 3000 MHz
供电电压
3 V
电流
180 mA
增益
14.5 dB
功率(W)
0.224 W, 23.5 dBm

T1G4012036-FL

Triquint

描述
24W,36V,DC - 3.5 GHz,GaN RF功率晶体管
频率
DC - 3.5 GHz
供电电压
36 V
增益
>15 dB

TGF2023-05

Triquint

描述
25 Watt 离散功率,GaN on SiC HEMT
频率
0 - 18000 MHz
供电电压
28 - 40 V
电流
500 mA
增益
15 dB
功率(W)
25.119 W, 44 dBm

TGF2023-20

Triquint

描述
100 Watt 离散功率,GaN on SiC HEMT
频率
0 - 18000 MHz
供电电压
28 - 40 V
电流
2000 mA
增益
15 dB
功率(W)
100 W, 50 dBm

T1G4005528-FS

Triquint

描述
55 W,28 V,DC - 3.5 GHz,GaN RF功率晶体管
频率
0 - 3500 MHz
供电电压
28 V
电流
200 mA
增益
15 dB
功率(W)
52.481 W, 47.2 dBm

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