Triquint
- 描述
- 18 W,28 V,DC - 6 GHz,GaN RF功率晶体管
- 频率
- 0 - 6000 MHz
- 供电电压
- 28 V
- 电流
- 50 mA
- 增益
- 15 dB
- 功率(W)
- 17.783 W, 42.5 dBm
Triquint
- 描述
- 0.5 Watt GaAs HFET
- 频率
- 50 - 4000 MHz
- 供电电压
- 8 V
- 电流
- 125 mA
- 增益
- 19 dB
- 功率(W)
- 0.501 W, 27 dBm
Triquint
- 描述
- 1.2 mm HFET
- 频率
- 0 - 12000 MHz
- 供电电压
- 8 V
- 电流
- 96 mA
- 增益
- 10 dB
- 功率(W)
- 0.708 W, 28.5 dBm
Triquint
- 描述
- 285W GaN RF功率晶体管 ,DC - 2 GHz
- 频率
- DC - 2 GHz
- 增益
- 19.4 - 20.8 dB
Triquint
- 描述
- 18 W,28 V,DC - 6 GHz GaN RF功率晶体管
- 频率
- 0 - 6000 MHz
- 供电电压
- 28 V
- 增益
- 15 dB
- 功率(W)
- 18 W
- 封装类型
- 陶瓷,法兰
Triquint
- 描述
- GaAs FET
- 频率
- 0 - 3000 MHz
- 供电电压
- 3 V
- 电流
- 180 mA
- 增益
- 14.5 dB
- 功率(W)
- 0.224 W, 23.5 dBm
Triquint
- 描述
- 24W,36V,DC - 3.5 GHz,GaN RF功率晶体管
- 频率
- DC - 3.5 GHz
- 供电电压
- 36 V
- 增益
- >15 dB
Triquint
- 描述
- 25 Watt 离散功率,GaN on SiC HEMT
- 频率
- 0 - 18000 MHz
- 供电电压
- 28 - 40 V
- 电流
- 500 mA
- 增益
- 15 dB
- 功率(W)
- 25.119 W, 44 dBm
Triquint
- 描述
- 100 Watt 离散功率,GaN on SiC HEMT
- 频率
- 0 - 18000 MHz
- 供电电压
- 28 - 40 V
- 电流
- 2000 mA
- 增益
- 15 dB
- 功率(W)
- 100 W, 50 dBm
Triquint
- 描述
- 55 W,28 V,DC - 3.5 GHz,GaN RF功率晶体管
- 频率
- 0 - 3500 MHz
- 供电电压
- 28 V
- 电流
- 200 mA
- 增益
- 15 dB
- 功率(W)
- 52.481 W, 47.2 dBm