Triquint

描述

30W，32V，DC - 3.5 GHz，GaN RF功率晶体管

频率

DC - 3.5 GHz

增益

16 - 21.6 dB

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Triquint

描述

18 mm HFET

频率

0 - 6000 MHz

供电电压

8 V

电流

1690 mA

增益

13.5 dB

功率(W)

7.079 W, 38.5 dBm

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Triquint

描述

DC -18 GHz，6 Watt，离散功率 GaN on SiC HEMT

频率

DC -18 GHz

供电电压

28 - 40 V

增益

15 - 18 dB

功率(W)

6.31 W, 38 dBm

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Triquint

描述

30 MHz - 3.5 GHz GaN晶体管，用于CW和脉冲应用

频率

30 - 3500 MHz

供电电压

32 V

增益

15.7 dB

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Triquint

描述

30W，32V，DC - 3.5 GHz，GaN RF无法兰功率晶体管，用于军用、民用雷达、测试设备和干扰器

频率

DC - 3.5 GHz

增益

16 - 21.6 dB

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Triquint

描述

12 Watt 离散功率，GaN on SiC HEMT

频率

0 - 18000 MHz

供电电压

28 - 40 V

电流

250 mA

增益

15 dB

功率(W)

12.589 W, 41 dBm

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Triquint

描述

1700 - 2000 MHz，高IP3双 PHEMT 低噪放

频率

1700 - 2000 MHz

供电电压

4.5 V

电流

50 mA

增益

17.9 dB

功率(W)

145 mW, 21.6 dBm

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Triquint

描述

285 W，36 V，DC - 2 GHz，法兰安装，GaN RF功率晶体管

频率

DC - 2 GHz

增益

19.4 - 20.8 dB

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Triquint

描述

GaAs MESFET

频率

50 - 4000 MHz

供电电压

5 V

电流

150 mA

增益

19 dB

功率(W)

126 mW, 21 dBm

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Triquint

描述

15W，28V，DC - 6 GHz，无法兰GaN RF功率晶体管

频率

DC - 6 GHz

增益

18.5 - 24 dB

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