FH101-G

Qorvo

描述
GaAs MESFET
频率
50 - 4000 MHz
供电电压
5 V
电流
150 mA
增益
19 dB
功率(W)
0.063 W

T1G6001032-SM

Qorvo

描述
10 W, 32 V, DC - 6 GHz GaN 射频功率晶体管
频率
DC - 6 GHz
供电电压
32 V
增益
19 dB
功率(W)
10 W

FP2189-G

Qorvo

描述
1 W GaAs HFET
频率
50 - 4000 MHz
供电电压
8 V
电流
250 mA
增益
18 dB
功率(W)
1 W

TGF2022-06

Qorvo

描述
Ku 频段 离散功率 pHEMT
频率
0 - 20000 MHz
供电电压
8 - 12 V
电流
45 - 75 mA
增益
13 dB
功率(W)
0.631 W

TGF2023-10

Qorvo

描述
50 W SiC基离散功率GaN HEMT
频率
0 - 18000 MHz
供电电压
28 - 40 V
电流
1000 mA
增益
15 dB
功率(W)
50.119 W

TGF4250-SCC

Qorvo

描述
4.8 mm HFET
频率
0 - 10500 MHz
供电电压
8 V
电流
384 mA
增益
8.5 dB
功率(W)
2.512 W

TGF2018

Qorvo

描述
离散 180-μm pHEMT晶体管 , DC - 20 GHz
频率
DC - 20 GHz
增益
14 dB
功率(W)
0.15 W

T1G3000532-SM

Qorvo

描述
30 MHz - 3.5 GHz GaN晶体管 用于 CW和脉冲
频率
30 - 3500 MHz
供电电压
32 V
增益
15.7 dB
封装类型
表贴

TGF2023-01

Qorvo

描述
DC -18 GHz, 6 W, 离散功率 GaN on SiC HEMT
频率
DC -18 GHz
供电电压
28 - 40 V
增益
15 - 18 dB
功率(W)
6.31 W

CLY5

Qorvo

描述
GaAs FET
频率
400 - 2500 MHz
供电电压
3 V
电流
350 mA
增益
11 dB
功率(W)
0.501 W

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