Qorvo
- 描述
- GaAs MESFET
- 频率
- 50 - 4000 MHz
- 供电电压
- 5 V
- 电流
- 150 mA
- 增益
- 19 dB
- 功率(W)
- 0.063 W
Qorvo
- 描述
- 10 W, 32 V, DC - 6 GHz GaN 射频功率晶体管
- 频率
- DC - 6 GHz
- 供电电压
- 32 V
- 增益
- 19 dB
- 功率(W)
- 10 W
Qorvo
- 描述
- 1 W GaAs HFET
- 频率
- 50 - 4000 MHz
- 供电电压
- 8 V
- 电流
- 250 mA
- 增益
- 18 dB
- 功率(W)
- 1 W
Qorvo
- 描述
- Ku 频段 离散功率 pHEMT
- 频率
- 0 - 20000 MHz
- 供电电压
- 8 - 12 V
- 电流
- 45 - 75 mA
- 增益
- 13 dB
- 功率(W)
- 0.631 W
Qorvo
- 描述
- 50 W SiC基离散功率GaN HEMT
- 频率
- 0 - 18000 MHz
- 供电电压
- 28 - 40 V
- 电流
- 1000 mA
- 增益
- 15 dB
- 功率(W)
- 50.119 W
Qorvo
- 描述
- 4.8 mm HFET
- 频率
- 0 - 10500 MHz
- 供电电压
- 8 V
- 电流
- 384 mA
- 增益
- 8.5 dB
- 功率(W)
- 2.512 W
Qorvo
- 描述
- 离散 180-μm pHEMT晶体管 , DC - 20 GHz
- 频率
- DC - 20 GHz
- 增益
- 14 dB
- 功率(W)
- 0.15 W
Qorvo
- 描述
- 30 MHz - 3.5 GHz GaN晶体管 用于 CW和脉冲
- 频率
- 30 - 3500 MHz
- 供电电压
- 32 V
- 增益
- 15.7 dB
- 封装类型
- 表贴
Qorvo
- 描述
- DC -18 GHz, 6 W, 离散功率 GaN on SiC HEMT
- 频率
- DC -18 GHz
- 供电电压
- 28 - 40 V
- 增益
- 15 - 18 dB
- 功率(W)
- 6.31 W
Qorvo
- 描述
- GaAs FET
- 频率
- 400 - 2500 MHz
- 供电电压
- 3 V
- 电流
- 350 mA
- 增益
- 11 dB
- 功率(W)
- 0.501 W