Qorvo

描述

5 Watt，GaN HEMT，4 GHz至6 GHz

频率

4.0至6.0 GHz

供电电压

32 V

增益

12.7 dB

封装类型

表面封装

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Qorvo

描述

2 W GaAs HFET

频率

50 - 4000 MHz

供电电压

9 V

电流

450 mA

增益

18 dB

功率(W)

2.512 W

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Qorvo

描述

800 - 3000 MHz 高 IP3 双 pHEMT

频率

800 - 3000 MHz

供电电压

4 V

电流

50 mA

增益

19 dB

功率(W)

200 mW

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Qorvo

描述

44 dBm GaN 射频晶体管 X-频段 用于雷达

频率

8 - 12 GHz

增益

11 dB

封装类型

3x3 QFN

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Qorvo

描述

24W, 36V, DC - 3.5 GHz, GaN 射频功率晶体管

频率

DC - 3.5 GHz

供电电压

36 V

增益

15 dB

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Qorvo

描述

Ku 频段 离散功率 pHEMT

频率

0 - 20000 MHz

供电电压

8 - 12 V

电流

360 - 600 mA

增益

13 dB

功率(W)

5.012 W

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Qorvo

描述

45W, 32V DC - 3.5 GHz, 无耳GaN 射频功率晶体管

频率

DC - 3.5 GHz

供电电压

32 V

增益

19.5 - 23.4 dB

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Qorvo

描述

12 W SiC基离散功率GaN HEMT

频率

0 - 18000 MHz

供电电压

28 - 40 V

电流

250 mA

增益

15 dB

功率(W)

12.589 W

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Qorvo

描述

1 W GaAs HFET

频率

0 - 4000 MHz

供电电压

8 V

电流

200 mA

增益

18 dB

功率(W)

1 W

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Qorvo

描述

35W, 32V, DC - 3.5GHz GaN 射频功率晶体管

频率

0 - 3.5 GHz

供电电压

32 V

增益

17 dB

功率(W)

37.15 W

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