Qorvo
- 描述
- 35W, 32V, DC - 3.5 GHz GaN 射频功率晶体管
- 频率
- DC - 3.5 GHz
- 供电电压
- 32 V
- 增益
- 17 dB
- 功率(W)
- 45.7 W
Qorvo
- 描述
- 25 W SiC基离散功率GaN HEMT
- 频率
- 0 - 18000 MHz
- 供电电压
- 28 - 40 V
- 电流
- 500 mA
- 增益
- 15 dB
- 功率(W)
- 25.119 W
Qorvo
- 描述
- 0.5 W GaAs HFET
- 频率
- 0 - 5000 MHz
- 供电电压
- 8 V
- 电流
- 100 mA
- 增益
- 19 dB
- 功率(W)
- 0.501 W
Qorvo
- 描述
- X 频段 离散功率 pHEMT
- 频率
- 0 - 12000 MHz
- 供电电压
- 8 - 12 V
- 电流
- 300 - 500 mA
- 增益
- 11 dB
- 功率(W)
- 3.981 W
Qorvo
- 描述
- 18 W, 28 V, DC - 6 GHz, GaN 射频功率晶体管
- 频率
- 0 - 6000 MHz
- 供电电压
- 28 V
- 电流
- 50 mA
- 增益
- 15 dB
- 功率(W)
- 17.783 W
Qorvo
- 描述
- DC - 3.3 GHz, 200 W晶体管
- 频率
- DC - 3.3 GHz
- 供电电压
- 36 V
- 电流
- 720 mA
- 增益
- 13 dB
- 功率(W)
- 200 W
Qorvo
- 描述
- 5 W GaN HEMT, DC - 12 GHz
- 频率
- 8 - 12 GHz
- 增益
- 12.5 dB
- 封装类型
- 3x3 QFN
Qorvo
- 描述
- 双 GaAs PHEMT
- 频率
- 800 - 3000 MHz
- 供电电压
- 4 V
- 电流
- 140 mA
- 增益
- 20.5 dB
- 功率(W)
- 100 mW
Qorvo
- 描述
- 1700 - 2000 MHz 高IP3双PHEMT低噪声放大器
- 频率
- 1700 - 2000 MHz
- 供电电压
- 4.5 V
- 电流
- 50 mA
- 增益
- 17.9 dB
- 功率(W)
- 145 mW
Qorvo
- 描述
- 9.6 mm HFET
- 频率
- 0 - 10500 MHz
- 供电电压
- 8.5 V
- 电流
- 768 mA
- 增益
- 9.5 dB
- 功率(W)
- 5.012 W