Qorvo

描述

11 Watt，GaN 功率晶体管，0.03 GHz至3 GHz

频率

30 MHz至3.0 GHz

供电电压

32 V

增益

17.1 dB

封装类型

表面封装

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Qorvo

描述

30W, 32V DC - 3.5 GHz, 无凸缘GaN射频功率晶体管 用于军事, 民用雷达, 测试设备以及干扰器

频率

DC - 3.5 GHz

增益

16 - 21.6 dB

封装类型

表贴

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Qorvo

描述

45W, 32V DC - 3.5 GHz, 法兰 GaN 射频功率晶体管

频率

DC - 3.5 GHz

供电电压

32 V

增益

19.5 - 23.4 dB

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Qorvo

描述

X 频段 离散功率 pHEMT

频率

0 - 12000 MHz

供电电压

8 - 12 V

电流

600 - 1000 mA

增益

11 dB

功率(W)

7.943 W

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Qorvo

描述

12 mm HFET

频率

0 - 8000 MHz

供电电压

8 V

电流

750 mA

增益

14 dB

功率(W)

5.012 W

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Qorvo

描述

700 - 915 MHz 高IP3双PHEMT低噪声放大器

频率

700 - 915 MHz

供电电压

4 V

电流

70 mA

增益

20.5 dB

功率(W)

117 mW

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Qorvo

描述

30W, 32V DC - 3.5 GHz, GaN 射频功率晶体管

频率

DC - 3.5 GHz

增益

16 - 21.6 dB

封装类型

表贴

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Qorvo

描述

5 Watt，32 Volt，0.03至3 GHz，50 Ohm，GaN输入匹配晶体管

频率

30 MHz至3.0 GHz

供电电压

32 V

增益

18 dB

封装类型

表面封装

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Qorvo

描述

100W，DC至3.5 GHz，GaN射频功率晶体管

频率

DC至3.5 GHz

供电电压

28 V

增益

21.2 dB(大于 14 dB @ 3.5 GHz)

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Qorvo

描述

0.3 mm, PHEMT 2MI

频率

0 - 22000 MHz

供电电压

3 V

电流

15 mA

增益

13 dB

功率(W)

40 mW

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