ILD1214M10

Integra Technologies, Inc.

描述
1200至1400 MHz,13.2 dB LDMOS晶体管
频率
1200至1400 MHz
供电电压
30 V
增益
13.2 dB
封装类型
法兰

IB3135MH100

Integra Technologies, Inc.

描述
3100至3500 MHz,9.3 dB 双极晶体管
频率
3100至3500 MHz
供电电压
36 V
增益
9.3 dB
封装类型
法兰

IB1416S650

Integra Technologies, Inc.

描述
1450至1550 MHz,8.28 dB 双极晶体管
频率
1450至1550 MHz
供电电压
50 V
增益
8.28 dB
封装类型
法兰

IB1011M140

Integra Technologies, Inc.

描述
1030 MHz,12.2 dB 双极晶体管
频率
1030 MHz
供电电压
50 V
增益
12.2 dB
封装类型
法兰

ILD0912M15HV

Integra Technologies, Inc.

描述
960至1215 MHz,14.2 dB LDMOS晶体管
频率
960至1215 MHz
供电电压
50 V
增益
14.2 dB
封装类型
法兰

ILD1011L950HV

Integra Technologies, Inc.

描述
1030 MHz,15.5 dB LDMOS晶体管
频率
1030 MHz
供电电压
50 V
增益
15.5 dB
封装类型
法兰

IB3135MH45

Integra Technologies, Inc.

描述
3100至3500 MHz,9.3 dB 双极晶体管
频率
3100至3500 MHz
供电电压
36 V
增益
9.3 dB
封装类型
法兰

IGN5259M20

Integra Technologies, Inc.

描述
5200至5900 MHz,14 dB GaN晶体管
频率
5200至5900 MHz
供电电压
36 V
增益
14 dB
封装类型
法兰

ILD1011M1000HVC

Integra Technologies, Inc.

描述
1030至1090 MHz,17.3 dB LDMOS晶体管
频率
1030至1090 MHz
供电电压
50 V
增益
17.3 dB
封装类型
法兰

IGN2731M200A

Integra Technologies, Inc.

描述
2700至3100 MHz,15 dB GaN晶体管
频率
2700至3100 MHz
供电电压
44 V
增益
15 dB
封装类型
法兰

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