ILD1011M280HV

Integra Technologies, Inc.

描述
1030至1090 MHz,15.6 dB LDMOS晶体管
频率
1030至1090 MHz
供电电压
50 V
增益
15.6 dB
封装类型
法兰

IB2934M100

Integra Technologies, Inc.

描述
2900至3400 MHz,7.9 dB 双极晶体管
频率
2900至3400 MHz
供电电压
36 V
增益
7.9 dB
封装类型
法兰

IB1011M1000

Integra Technologies, Inc.

描述
1030 MHz,9.2 dB 双极晶体管
频率
1030 MHz
供电电压
50 V
增益
9.2 dB
封装类型
法兰

IB0912M350

Integra Technologies, Inc.

描述
960至1215 MHz,10.6 dB 双极晶体管
频率
960至1215 MHz
供电电压
50 V
增益
10.6 dB
封装类型
法兰

IDM500CW300

Integra Technologies, Inc.

描述
1至500 MHz,MOSFET晶体管
频率
1至500 MHz
供电电压
28 V
封装类型
法兰

IB2856S30

Integra Technologies, Inc.

描述
2856 MHz,9.8 dB 双极晶体管
频率
2856 MHz
供电电压
40 V
增益
9.8 dB
封装类型
法兰

ILD0912M150HV

Integra Technologies, Inc.

描述
960至1215 MHz,8.8 dB LDMOS晶体管
频率
960至1215 MHz
供电电压
50 V
增益
8.8 dB
封装类型
法兰

IB3134M70

Integra Technologies, Inc.

描述
3100至3400 MHz,8.2 dB 双极晶体管
频率
3100至3400 MHz
供电电压
36 V
增益
8.2 dB
封装类型
法兰

IB2731MH110

Integra Technologies, Inc.

描述
2700至3100 MHz,9.2 dB 双极晶体管
频率
2700至3100 MHz
供电电压
36 V
增益
9.2 dB
封装类型
法兰

IGN2729M400

Integra Technologies, Inc.

描述
2700至2900 MHz,11 dB GaN晶体管
频率
2700至2900 MHz
供电电压
50 V
增益
11 dB
封装类型
法兰

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛