Integra Technologies, Inc.

描述

2300至2500 MHz，17 dB GaN晶体管

频率

2300至2500 MHz

供电电压

28 V

增益

17 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

2700至3500 MHz，10 dB GaN晶体管

频率

2700至3500 MHz

供电电压

32 V

增益

10 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

1030 MHz，8.8 dB 双极晶体管

频率

1030 MHz

供电电压

50 V

增益

8.8 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

1030至1090 MHz，11.5 dB 双极晶体管

频率

1030至1090 MHz

供电电压

50 V

增益

11.5 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

30至512 MHz，MOSFET晶体管

频率

30至512 MHz

供电电压

28 V

封装类型

法兰

下载手册 官网资料 对比 询价

Integra Technologies, Inc.

描述

1200至1400 MHz，12.1 dB LDMOS晶体管

频率

1200至1400 MHz

供电电压

30 V

增益

12.1 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

2700至2900 MHz，12 dB GaN晶体管

频率

2700至2900 MHz

供电电压

50 V

增益

12 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

960至1215 MHz，10.3 dB 双极晶体管

频率

960至1215 MHz

供电电压

44 V

增益

10.3 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

30至512 MHz，MOSFET晶体管

频率

30至512 MHz

供电电压

28 V

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

3000 MHz，9.5 dB 双极晶体管

频率

3000 MHz

供电电压

40 V

增益

9.5 dB

封装类型

法兰

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