IB1011M1100

Integra Technologies, Inc.

描述
1030至1190 MHz,9 dB 双极晶体管
频率
1030至1190 MHz
供电电压
60 V
增益
9 dB
封装类型
法兰

IB2731M110

Integra Technologies, Inc.

描述
2700至3100 MHz,9.4 dB 双极晶体管
频率
2700至3100 MHz
供电电压
36 V
增益
9.4 dB
封装类型
法兰

IGN1214M250

Integra Technologies, Inc.

描述
1200至1400 MHz,17.8 dB GaN晶体管
频率
1200至1400 MHz
供电电压
50 V
增益
17.8 dB
封装类型
法兰

ILD3135M120

Integra Technologies, Inc.

描述
3100至3500 MHz,10.4 dB LDMOS晶体管
频率
3100至3500 MHz
供电电压
32 V
增益
10.4 dB
封装类型
法兰

IB3134M15

Integra Technologies, Inc.

描述
3100至3400 MHz,8.3 dB 双极晶体管
频率
3100至3400 MHz
供电电压
36 V
增益
8.3 dB
封装类型
法兰

IB1011L110

Integra Technologies, Inc.

描述
1030 MHz,11 dB 双极晶体管
频率
1030 MHz
供电电压
48 V
增益
11 dB
封装类型
法兰

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