Integra Technologies, Inc.

描述

870至990 MHz，8.1 dB 双极晶体管

频率

870至990 MHz

供电电压

36 V

增益

8.1 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

960至1215 MHz，11.6 dB 双极晶体管

频率

960至1215 MHz

供电电压

44 V

增益

11.6 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

450 MHz，11.1 dB 双极晶体管

频率

450 MHz

供电电压

40 V

增益

11.1 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

1025至1150 MHz，16.85 dB LDMOS晶体管

频率

1025至1150 MHz

供电电压

50 V

增益

16.85 dB

封装类型

法兰

下载手册 官网资料 对比 询价

Integra Technologies, Inc.

描述

3100至3500 MHz，10.4 dB LDMOS晶体管

频率

3100至3500 MHz

供电电压

32 V

增益

10.4 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

125至167 MHz，9.2 dB VDMOS晶体管

频率

125至167 MHz

供电电压

34 V

增益

9.2 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

2700至3100 MHz，15 dB GaN晶体管

频率

2700至3100 MHz

供电电压

44 V

增益

15 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

4400至5000 MHz，13 dB GaN晶体管

频率

4400至5000 MHz

供电电压

36 V

增益

13 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

1030 MHz，9.3 dB 双极晶体管

频率

1030 MHz

供电电压

48 V

增益

9.3 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

1025至1150 MHz，11.3 dB 双极晶体管

频率

1025至1150 MHz

供电电压

50 V

增益

11.3 dB

封装类型

法兰

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