Integra Technologies, Inc.

描述

1030至1090 MHz，14 dB LDMOS晶体管

频率

1030至1090 MHz

供电电压

32 V

增益

14 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

960至1215 MHz，12.37 dB 双极晶体管

频率

960至1215 MHz

供电电压

50 V

增益

12.37 dB

封装类型

法兰

下载手册 官网资料 对比 询价

Integra Technologies, Inc.

描述

1030至1090 MHz，12.2 dB 双极晶体管

频率

1030至1090 MHz

供电电压

60 V

增益

12.2 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

1030 MHz，15 dB LDMOS晶体管

频率

1030 MHz

供电电压

50 V

增益

15 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

175000至200000 MHz，15.43 dB MOSFET晶体管

频率

175000至200000 MHz

供电电压

50 V

增益

15.43 dB

封装类型

法兰

下载手册 官网资料 对比 询价

Integra Technologies, Inc.

描述

2200至2260 MHz，8.7 dB 双极晶体管

频率

2200至2260 MHz

供电电压

36 V

增益

8.7 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

5200至5900 MHz，13 dB GaN晶体管

频率

5200至5900 MHz

供电电压

36 V

增益

13 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

2856 MHz，10.4 dB 双极晶体管

频率

2856 MHz

供电电压

40 V

增益

10.4 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

870至990 MHz，8.1 dB 双极晶体管

频率

870至990 MHz

供电电压

36 V

增益

8.1 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

3100至3400 MHz，9.5 dB 双极晶体管

频率

3100至3400 MHz

供电电压

36 V

增益

9.5 dB

封装类型

法兰

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