Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，340 W，30 V，1930至1990 MHz

频率

1930至1990 MHz

供电电压

30.0 V

增益

19.5 dB

封装类型

H-34275G-6/2

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Infineon Technologies

描述

热增强大功率射频LDMOS场效应晶体管，240 W，30 V，725至770 MHz

频率

725至770 MHz

供电电压

28.0 V

增益

18至19 dB

封装类型

H-34288-2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，120 W，28 V，920至960 MHz

频率

920至960 MHz

供电电压

28.0 V

增益

18至19 dB

封装类型

H-36248-2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，280 W，28 V，2620至2690 MHz

频率

2620至2690 MHz

供电电压

28.0 V

增益

16.5至18 dB

封装类型

H-34275G-6/2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，25 W，28 V，2495至2690 MHz

频率

2495至2690 MHz

供电电压

28.0 V

增益

19至20 dB

封装类型

H-37248-4

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，350 W，50 V，1200至1400 MHz

频率

1200至1400 MHz

供电电压

50.0 V

增益

15.5至16 dB

封装类型

H-37248-2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，220 W，30 V，920至960 MHz

频率

920至960 MHz

供电电压

30.0 V

增益

17.5至18.5 dB

封装类型

H-36260-2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，60 W，28 V，2110至2170 MHz

频率

2110至2170 MHz

供电电压

28.0 V

增益

15至16 dB

封装类型

H-37265-2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，70 W，28 V，1805至1880 MHz

频率

1805至1880 MHz

供电电压

28.0 V

增益

15.5至16.5 dB

封装类型

H-37265-2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，190 W，28 V，1805至1880 MHz

频率

1805至1880 MHz

供电电压

28.0 V

增益

14至15.5 dB

封装类型

H-37248-4

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