Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，280 W，28 V，2620至2690 MHz

频率

2620至2690 MHz

供电电压

28.0 V

增益

16.5至18 dB

封装类型

H-34275G-6/2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，150 W，30 V，2110至2170 MHz

频率

2110至2170 MHz

供电电压

30.0 V

增益

18 dB

封装类型

H-36248-2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，220W，28V，1805至1990MHz

频率

1805至1990 MHz

供电电压

28.0 V

增益

19至20 dB

封装类型

H-37288G-4/2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，280 W，30 V，791至821 MHz

频率

791至821 MHz

供电电压

28.0 V

增益

18.5至19.3 dB

封装类型

H-34288-4/2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，220 W，30 V，869至894 MHz

频率

869至894 MHz

供电电压

30.0 V

增益

17.5至18.0 dB

封装类型

H-36260-2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，320 W，28 V，2110至2170 MHz

频率

2110至2170 MHz

供电电压

28.0 V

增益

15.75至17 dB

封装类型

H-34275G-6/2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，220 W，30 V，869至894 MHz

频率

869至894 MHz

供电电压

30.0 V

增益

17.5至18.0 dB

封装类型

H-37260-2

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Infineon Technologies

描述

热增强大功率射频LDMOS场效应晶体管，60 W，725至770 MHz

频率

725至770 MHz

供电电压

28.0 V

增益

18至19.5 dB

封装类型

H-37265-2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，50W，28V，2300至2400MHz

频率

2300至2400 MHz

供电电压

28.0 V

增益

13至14.3 dB

封装类型

H-37248-4

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，240 W，2110至2170 MHz

频率

2110至2170 MHz

供电电压

30.0 V

增益

17至18 dB

封装类型

H-34288-4/2

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