Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，240 W，2110至2170 MHz

频率

2110至2170 MHz

供电电压

30.0 V

增益

17至18 dB

封装类型

H-33288-6

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，150 W，30 V，920至960 MHz

频率

920至960 MHz

供电电压

30.0 V

增益

16至17 dB

封装类型

H-33288-6

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，150 W，30 V，2110至2170 MHz

频率

2110至2170 MHz

供电电压

30.0 V

增益

16.5至18 dB

封装类型

H-33288-6

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，200 W，30 V，1930至1990 MHz

频率

1930至1990 MHz

供电电压

30.0 V

增益

15.3至15.9 dB

封装类型

H-37260-2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，170 W，28V，1805至1880 MHz

频率

1805至1880 MHz

供电电压

28.0 V

增益

18至19 dB

封装类型

H-37248-4

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管 32W，28V，2496至2690MHz

频率

2496至2690 MHz

供电电压

28.0 V

增益

17.5至18.5 dB

封装类型

H-37248H-4

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，100 W，30 V，1930至1990 MHz

频率

1930至1990 MHz

供电电压

28.0 V

增益

16至17 dB

封装类型

H-37248-2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，50W，50V，1200至1400MHz

频率

1200至1400 MHz

供电电压

50.0 V

增益

16.5至17 dB

封装类型

H-36265-2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，25 W，28 V，2495至2690 MHz

频率

2620至2690 MHz

供电电压

28.0 V

增益

14.5至15.5 dB

封装类型

H-37248H-4

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，360 W，28 V，920至960 MHz

频率

920至960 MHz

供电电压

28.0 V

增益

20 dB

封装类型

H-34275G-6/2

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