Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，140 W，28 V，2620至2690 MHz

频率

2620至2690 MHz

供电电压

28.0 V

增益

17至18 dB

封装类型

H-37248-4

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，60W，P3dB @ 28V，2620至2690MHz

频率

2620至2690 MHz

供电电压

28.0 V

增益

14至15.7 dB

封装类型

H-37248-4

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，200 W，30 V，1930至1990 MHz

频率

1930至1990 MHz

供电电压

30.0 V

增益

15.3至15.9 dB

封装类型

H-36260-2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，200 W，28 V，2110至2170 MHz

频率

2110至2170 MHz

供电电压

28.0 V

增益

16.75至19 dB

封装类型

H-34288G-4/2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管 100W，28V，2496至2690MHz

频率

2496至2690 MHz

供电电压

28.0 V

增益

14.1至15.1 dB

封装类型

H-37248-4

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Infineon Technologies

描述

热增强大功率射频LDMOS场效应晶体管，45 W，1930至1990 MHz

频率

1930至1990 MHz

供电电压

28.0 V

增益

16.5至17.5 dB

封装类型

H-30265-2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，80 W，28 V，2110至2170 MHz

频率

2110至2170 MHz

供电电压

28.0 V

增益

15至17 dB

封装类型

H-37248-4

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，80 W，28 V，2110至2170 MHz

频率

2110至2170 MHz

供电电压

28.0 V

增益

18至18.5 dB

封装类型

H-37265-2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，25 W，28 V，2495至2690 MHz

频率

2620至2690 MHz

供电电压

28.0 V

增益

14.5至15.5 dB

封装类型

H-37248H-4

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Infineon Technologies

描述

宽频射频LDMOS集成功率放大器，15 W，28 V，1800至2200 MHz

频率

1800至2200 MHz

供电电压

28.0 V

增益

27.5至30 dB

封装类型

PG-DSO-20-63

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