Infineon Technologies

描述

宽频射频LDMOS集成功率放大器，45 W，1900至2200 MHz

频率

1900至2200 MHz

供电电压

28.0 V

增益

26.5至28 dB

封装类型

H-34265-8

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，250 W，28 V，1805至1880 MHz

频率

1805至1880 MHz

供电电压

28.0 V

增益

18至19 dB

封装类型

H-34288G-4/2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，340 W，30 V，1805至1880 MHz

频率

1805至1880 MHz

供电电压

30.0 V

增益

16至17 dB

封装类型

H-36275-8

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，240 W，30 V，1930至1990 MHz

频率

1930至1990 MHz

供电电压

30.0 V

增益

17至18 dB

封装类型

H-34288-4/2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，255 W，28 V，1930至1990 MHz

频率

1930至1990 MHz

供电电压

28.0 V

增益

18至19 dB

封装类型

H-34288G-4/2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，300 W，30 V，2110至2170 MHz

频率

2110至2170 MHz

供电电压

30.0 V

增益

18 dB

封装类型

H-37275-6/2

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Infineon Technologies

描述

宽频射频LDMOS集成功率放大器，30 W，28 V，700至1000 MHz

频率

700至1000 MHz

供电电压

28.0 V

增益

32 dB

封装类型

PG-DSO-20-63

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，150 W，30 V，1930至1990 MHz

频率

1930至1990 MHz

供电电压

30.0 V

增益

17至18 dB

封装类型

H-36248-2

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，12 W，700至2200 MHz

频率

700至2200 MHz

供电电压

28.0 V

增益

16.2 dB

封装类型

PG-SON-10

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Infineon Technologies

描述

大功率射频LDMOS场效应晶体管，150 W，30 V，2110至2170 MHz

频率

2110至2170 MHz

供电电压

30.0 V

增益

16.5至18 dB

封装类型

H-34288-4/2

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