Mitsubishi Electric US, Inc.

描述

3.5 GHz至3.8 GHz，GaN HEMT，应用于4G/LTE基站收发机

频率

3.4至3.8 GHz

供电电压

50 V

增益

17 dB

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Mitsubishi Electric US, Inc.

描述

3.5 GHz至3.8 GHz，GaN HEMT，应用于4G/LTE基站收发机

频率

3.4至3.8 GHz

供电电压

50 V

增益

19 dB

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Mitsubishi Electric US, Inc.

描述

175至870 MHz，MOSFET射频晶体管，符合ROHS2标准

频率

175至870 MHz

增益

11.5至13.8 dB

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