Freescale
- 描述
- 10 Watt,GaN,SiC晶体管,1 MHz至3000 MHz
- 频率
- 1至3000 MHz
- 供电电压
- 28 V
- 增益
- 10 dB
Freescale
- 描述
- 1930-1990 MHz,36 W Avg.,28 V 单 W-CDMA 侧面N-通道RF功率MOSFET
- 频率
- 1930 - 1990 MHz
- 供电电压
- 28 V
- 增益
- 18 dB @ 18 MHz
- 功率(W)
- 120 W
Freescale
- 描述
- 10-500 MHz,1000 W,50 V 侧面N-通道宽带RF功率MOSFET
- 频率
- 10 - 500 MHz
- 供电电压
- 50 V
- 增益
- 20 dB @ 20 MHz
- 功率(W)
- 1000 W
Freescale
- 描述
- 3.5 GHz,9 W,12 V 功率 FET GaAs pHEMT
- 频率
- 0 - 6000 MHz
- 供电电压
- 12 V
- 增益
- 10 dB @ 10 MHz
- 功率(W)
- 9 W
Freescale
- 描述
- 1930-1990 MHz,29 W Avg.,28 V,2 x N-CDMA 侧面N-通道RF功率MOSFET
- 频率
- 1930 - 1990 MHz
- 供电电压
- 28 V
- 增益
- 16 dB @ 16 MHz
- 功率(W)
- 140 W
Freescale
- 描述
- 2110-2170 MHz,28 W Avg.,28 V,2 x W-CDMA,侧面N-通道RF功率MOSFET
- 频率
- 2110 - 2170 MHz
- 供电电压
- 28 V
- 增益
- 13.5 dB @ 13.5 MHz
- 功率(W)
- 100 W
Freescale
- 描述
- 2700-2900 MHz,320 W,30 V 侧面N-通道宽带RF功率MOSFET
- 频率
- 2700 - 2900 MHz
- 供电电压
- 30 V
- 增益
- 13.3 dB @ 13.3 MHz
- 功率(W)
- 320 W
Freescale
- 描述
- 720-960 MHz,140 W Avg.,28 V Airfast RF功率晶体管
- 频率
- 720 - 960 MHz
- 供电电压
- 28 V
- 增益
- 18 dB
- 功率(W)
- 140 W
Freescale
- 描述
- 2000 MHz,4 W,26 V 侧面N-通道宽带RF功率MOSFET
- 频率
- 1930 - 2000 MHz
- 供电电压
- 26 V
- 增益
- 12.5 dB @ 12.5 MHz
- 功率(W)
- 4 W
Freescale
- 描述
- 945 MHz,45 W,28 V 侧面N-通道宽带RF功率MOSFET
- 频率
- 945 - 945 MHz
- 供电电压
- 28 V
- 增益
- 18.8 dB @ 18.8 MHz
- 功率(W)
- 45 W