Freescale
- 描述
- 880 MHz,58 W Avg.,28 V,单 W-CDMA 侧面N-通道RF功率MOSFET
- 频率
- 880 - 960 MHz
- 供电电压
- 28 V
- 增益
- 21.2 dB @ 21.2 MHz
- 功率(W)
- 200 W
Freescale
- 描述
- 2600至2700 MHz,35 W,N至通道,射频功率MOS场效应晶体管
- 频率
- 2600至2700 MHz
- 供电电压
- 28 V
- 增益
- 14.6 dB @ 14.6 MHz
Freescale
- 描述
- 470-860 MHz,600 W,50 V LDMOS 宽带 RF功率晶体管
- 频率
- 470 - 860 MHz
- 供电电压
- 50 V
- 增益
- 19.3 dB @ 19.3 MHz
- 功率(W)
- 600 W
Freescale
- 描述
- 869-960 MHz,100 W,26 V GSM/GSM EDGE 侧面N-通道RF功率MOSFET
- 频率
- 869 - 960 MHz
- 供电电压
- 26 V
- 增益
- 17.5 dB @ 17.5 MHz
- 功率(W)
- 100 W
Freescale
- 描述
- 2110-2170 MHz,23 W Avg.,28 V,2 x W-CDMA 侧面N-通道RF功率MOSFET
- 频率
- 2110 - 2170 MHz
- 供电电压
- 28 V
- 增益
- 15.9 dB @ 15.9 MHz
- 功率(W)
- 100 W
Freescale
- 描述
- 3100-3500 MHz,15 W 峰值,32 V 脉冲 侧面N-通道RF功率MOSFET
- 频率
- 3100 - 3500 MHz
- 供电电压
- 32 V
- 增益
- 16 dB @ 16 MHz
- 功率(W)
- 15 W
Freescale
- 描述
- 1805-2025 MHz,20 W Avg.,28 V 单 W-CDMA 侧面N-通道RF功率MOSFET
- 频率
- 1805 - 2025 MHz
- 供电电压
- 28 V
- 增益
- 16 dB @ 16 MHz
- 功率(W)
- 78 W
Freescale
- 描述
- 720-960 MHz,95 W Avg.,48 V Airfast RF功率晶体管
- 频率
- 720 - 960 MHz
- 供电电压
- 48 V
- 功率(W)
- 95 W
Freescale
- 描述
- 920-960 MHz,35.5 W CW,28 V GSM,GSM EDGE 侧面N-通道RF功率MOSFET
- 频率
- 920 - 960 MHz
- 供电电压
- 28 V
- 增益
- 19 dB @ 19 MHz
- 功率(W)
- 45 W
Freescale
- 描述
- 920-960 MHz,63 W Avg.,28 V 单 W-CDMA RF功率LDMOS晶体管
- 频率
- 920 - 960 MHz
- 供电电压
- 28 V
- 增益
- 16.7 dB @ 16.7 MHz
- 功率(W)
- 193 W