Freescale

描述

1930-1990 MHz，50 W Avg.，28 V 单 W-CDMA 侧面N-通道RF功率MOSFET

频率

1930 - 1990 MHz

供电电压

28 V

增益

17.2 dB @ 17.2 MHz

功率(W)

170 W

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Freescale

描述

1.8 - 2000 MHz 100 W LDMOS晶体管用于军用，无线电通信和雷达应用，用于陶瓷和法兰封装

频率

1.8 - 2000 MHz

供电电压

30 - 50 V

功率(W)

50 dBm, 100 W

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Freescale

描述

1805-1880 MHz，85 W，26 V GSM/GSM EDGE侧面N-通道RF功率MOSFET

频率

1805 - 1880 MHz

供电电压

26 V

增益

15 dB @ 15 MHz

功率(W)

83 W

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Freescale

描述

860 MHz，450 W，50 V 侧面N-通道宽带RF功率MOSFET

频率

470 - 860 MHz

供电电压

50 V

增益

22.5 dB @ 22.5 MHz

功率(W)

450 W

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Freescale

描述

1930-1995 MHz，37 W Avg.，28 V 单 W-CDMA 侧面N-通道RF功率MOSFET

频率

1930 - 1995 MHz

供电电压

28 V

增益

16.3 dB @ 16.3 MHz

功率(W)

104 W

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Freescale

描述

2300-2400 MHz，16 W Avg.，28 V 单 W-CDMA，LTE 侧面N-通道RF功率MOSFET

频率

2300 - 2400 MHz

供电电压

28 V

增益

14.6 dB @ 14.6 MHz

功率(W)

55 W

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Freescale

描述

1805 MHz - 1995 MHz，50 W Avg.，30 V 单 W-CDMA 侧面N-通道RF功率MOSFET

频率

1805 - 1995 MHz

供电电压

30 V

增益

17.8 dB @ 17.8 MHz

功率(W)

210 W

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Freescale

描述

136 - 941 MHz，6 Watt RF晶体管或者手持式手机无线电应用

频率

136 - 941 MHz

供电电压

7.5 V

增益

15.2 - 16.3 dB

封装类型

磁带，卷

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Freescale

描述

2010-2025 MHz，10 W Avg.，32 V 单 W-CDMA 侧面N-通道RF功率MOSFET

频率

2010 - 2025 MHz

供电电压

32 V

增益

18.2 dB @ 18.2 MHz

功率(W)

35 W

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Freescale

描述

2200 MHz，30 W，28 V 侧面N-通道RF功率MOSFET

频率

2110 - 2170 MHz

供电电压

28 V

增益

13 dB @ 13 MHz

功率(W)

30 W

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