Freescale
- 描述
- 2170 MHz,23 dBm,28 V 单 N-CDMA,单 W-CDMA RF LDMOS宽带集成功率放大器
- 频率
- 1250 - 2500 MHz
- 供电电压
- 28 V
- 功率(W)
- 15 W
Freescale
- 描述
- 920-960 MHz,50 W Avg.,28 V 单 W-CDMA 侧面N-通道RF功率MOSFET
- 频率
- 920 - 960 MHz
- 供电电压
- 28 V
- 增益
- 19.3 dB @ 19.3 MHz
- 功率(W)
- 177 W
Freescale
- 描述
- 10-235 MHz,1000 W,50 V 侧面N-通道宽带RF功率MOSFET
- 频率
- 10 - 235 MHz
- 供电电压
- 50 V
- 增益
- 24 dB @ 24 MHz
- 功率(W)
- 1000 W
Freescale
- 描述
- 2300-2700 MHz,3 W Avg.,28 V 单 W-CDMA 侧面N-通道RF功率MOSFET
- 频率
- 2000 - 2700 MHz
- 供电电压
- 28 V
- 增益
- 14 dB @ 14 MHz
- 功率(W)
- 15 W
Freescale
- 描述
- 1930-1990 MHz,90 W,26 V 侧面N-通道RF功率MOSFET
- 频率
- 1930 - 1990 MHz
- 供电电压
- 26 V
- 增益
- 11.5 dB @ 11.5 MHz
- 功率(W)
- 90 W
Freescale
- 描述
- 136-520 MHz,70 W,12.5 V宽带RF功率LDMOS晶体管
- 频率
- 136 - 520 MHz
- 供电电压
- 12.5 V
- 增益
- 18.5 dB
- 功率(W)
- 70 W
Freescale
- 描述
- 1930-1990 MHz,56 W Avg.,28 V 单 W-CDMA 侧面N-通道RF功率MOSFET
- 频率
- 1930 - 1990 MHz
- 供电电压
- 28 V
- 增益
- 17.9 dB @ 17.9 MHz
- 功率(W)
- 130 W
Freescale
- 描述
- 1930-1990 MHz,125 W CW,28 V GSM,GSM EDGE 侧面N-通道RF功率MOSFET
- 频率
- 1930 - 1990 MHz
- 供电电压
- 28 V
- 增益
- 16.5 dB @ 16.5 MHz
- 功率(W)
- 140 W
Freescale
- 描述
- N至通道LDMOS晶体管,1.8至2000 MHz
- 频率
- 1.8 MHz至2 GHz
- 供电电压
- 50 V
- 增益
- 25.5 dB
Freescale
- 描述
- 2110-2170 MHz,23 W Avg.,28 V,2 x W-CDMA 侧面N-通道RF功率MOSFET
- 频率
- 2110 - 2170 MHz
- 供电电压
- 28 V
- 增益
- 14.5 dB @ 14.5 MHz
- 功率(W)
- 100 W