Freescale
- 描述
- 470-860 MHz,90 W,50 V宽带RF功率LDMOS晶体管
- 频率
- 470 - 860 MHz
- 供电电压
- 50 V
- 增益
- 22 dB @ 22 MHz
- 功率(W)
- 90 W
Freescale
- 描述
- 3.5 GHz,3 W ,6 V 功率 FET GaAs pHEMT
- 频率
- 0 - 6000 MHz
- 供电电压
- 6 V
- 增益
- 10 dB @ 10 MHz
- 功率(W)
- 3 W
Freescale
- 描述
- 1805-1995 MHz,63 W Avg.,28 V Airfast RF功率晶体管
- 频率
- 1805 - 1995 MHz
- 供电电压
- 28 V
- 增益
- 15.3 dB @ 15.3 MHz
- 功率(W)
- 350 W
Freescale
- 描述
- 920-960 MHz,72 W CW,28 V GSM,GSM EDGE 侧面N-通道RF功率MOSFET
- 频率
- 920 - 960 MHz
- 供电电压
- 28 V
- 增益
- 19.3 dB @ 19.3 MHz
- 功率(W)
- 108 W
Freescale
- 描述
- 945 MHz,60 W,26 V 侧面N-通道宽带RF功率MOSFET
- 频率
- 945 - 945 MHz
- 供电电压
- 26 - 27 V
- 增益
- 17 dB @ 17 MHz
- 功率(W)
- 60 W
Freescale
- 描述
- 2110-2170 MHz,38 W Avg.,28 V,2 x W-CDMA 侧面N-通道RF功率MOSFET
- 频率
- 2110 - 2170 MHz
- 供电电压
- 28 V
- 增益
- 14 dB @ 14 MHz
- 功率(W)
- 180 W
Freescale
- 描述
- 2300-2400 MHz,40 W Avg.,28 V,2 x W-CDMA 侧面N-通道RF功率MOSFET
- 频率
- 2300 - 2400 MHz
- 供电电压
- 28 V
- 增益
- 14 dB @ 14 MHz
- 功率(W)
- 190 W
Freescale
- 描述
- 945 MHz,45 W,28 V 侧面N-通道宽带RF功率MOSFET
- 频率
- 945 - 945 MHz
- 供电电压
- 28 V
- 增益
- 19 dB @ 19 MHz
- 功率(W)
- 45 W
Freescale
- 描述
- 125 W CW,射频功率 GaN晶体管,1至2700 MHz
- 频率
- 1至2700 MHz
- 供电电压
- 50 V
- 增益
- 12至18 dB
Freescale
- 描述
- N至通道LDMOS晶体管,1300至1300 MHz
- 频率
- 1.3至1.3 GHz
- 供电电压
- 50 V
- 增益
- 22.7 dB