Freescale

描述

2500-2700 MHz，14 W Avg.，28 V 单 W-CDMA，LTE 侧面N-通道RF功率MOSFET

频率

2500 - 2700 MHz

供电电压

28 V

增益

15 dB @ 15 MHz

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Freescale

描述

1805-1880 MHz，72 W CW，28 V GSM，GSM EDGE 侧面N-通道RF功率MOSFET

频率

1805 - 1880 MHz

供电电压

28 V

增益

18.2 dB @ 18.2 MHz

功率(W)

120 W

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Freescale

描述

869-960 MHz，80 W，26 V GSM/GSM EDGE 侧面N-通道RF功率MOSFET

频率

869 - 960 MHz

供电电压

26 V

增益

18 dB @ 18 MHz

功率(W)

80 W

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Freescale

描述

1.8-2000 MHz，25 W，50 V宽带RF功率LDMOS晶体管

频率

0 - 2000 MHz

供电电压

50 V

功率(W)

25 W(Peak)

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Freescale

描述

2110-2170 MHz，10 W Avg.，28 V，2 x W-CDMA 侧面N-通道RF功率MOSFET

频率

2110 - 2170 MHz

供电电压

28 V

增益

14.5 dB @ 14.5 MHz

功率(W)

45 W

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Freescale

描述

2300-2400 MHz,45 W Avg.，28 V Airfast RF功率LDMOS晶体管

频率

2300 - 2400 MHz

供电电压

28 V

增益

18.8 dB

功率(W)

45 W

封装类型

陶瓷，法兰

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Freescale

描述

2110-2170 MHz，22 W Avg.，28 V 单 W-CDMA 侧面N-通道RF功率MOSFET

频率

2110 - 2170 MHz

供电电压

28 V

增益

18 dB @ 18 MHz

功率(W)

80 W

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Freescale

描述

960-1215 MHz，500 W，50 V 脉冲 侧面N-通道RF功率MOSFET

频率

960 - 1215 MHz

供电电压

50 V

功率(W)

500 W(Peak)

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Freescale

描述

450-480 MHz，25 W Avg.，28 V 单 N-CDMA 侧面N-通道RF功率MOSFET

频率

450 - 480 MHz

供电电压

28 V

增益

23 dB @ 23 MHz

功率(W)

125 W

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Freescale

描述

N至通道LDMOS晶体管，1.8至2000 MHz

频率

1.8 MHz至2 GHz

供电电压

50 V

增益

25.5 dB

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