Peregrine Semiconductor

描述

超CMOS射频混频器，用于陆地移动无线电（LMR），战术无线电和蜂窝基础设施应用

RF频率

136 - 935 MHz

LO频率

245.65 - 831.35 MHz

中频频率

109.65 MHz

转换损耗

6.5 - 8.7 dB

封装类型

表贴

LO驱动功率

-10 ~23 dBm

IP3

19 - 26 dBm

供电电压

2.9 - 3.1 V

下载手册 官网资料 对比 询价

Peregrine Semiconductor

描述

宽带MOSFET四阵列混频器内核，DC-6 GHz

RF频率

0.01-6000 MHz

LO频率

0.01-6000 MHz

中频频率

0.01-6000 MHz

转换损耗

6.5-7.5 dB

封装类型

表贴，裸片

LO驱动功率

0至20 dBm

P1dB

13至22 dBm

IP3

36 dBm

下载手册 官网资料 对比 询价

Peregrine Semiconductor

描述

MOSFET四阵列混频器内核: 低频率，应用于多路复用器

RF频率

0.01-1000 MHz

LO频率

0.01-1000 MHz

中频频率

0.01-1000 MHz

转换损耗

7-8 dB

封装类型

表贴

LO驱动功率

0至20 dBm

IP3

33 dBm

下载手册 官网资料 对比 询价

Peregrine Semiconductor

描述

MOSFET四阵列混频器内核

RF频率

136-194 MHz

LO频率

245.65-885.65 MHz

中频频率

44.85-109.65 MHz

转换损耗

6.5-8.7 dB

封装类型

表贴

LO驱动功率

-10至-6 dBm

IP3

25 dBm

下载手册 官网资料 对比 询价