Hittite

RF频率

17-31 GHz

中频频率

DC-6 GHz

转换损耗

8 dB

封装类型

表贴

LO驱动功率

13 dBm

IP3

19 dBm

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Hittite

描述

高IP3，DBL-BAL，0 LO

RF频率

0.7-1.5 GHz

中频频率

DC-0.5 GHz

转换损耗

7.5 dB

封装类型

表贴

IP3

34 dBm

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Hittite

描述

GaAs MMIC I/Q混频器，8-12 GHz，镜像频率干扰抑制混频器或者单端上变频器

RF频率

8-12 GHz

中频频率

DC-4 GHz

转换损耗

8 dB

封装类型

表贴

IP3

18 dBm

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Hittite

RF频率

14-20 GHz

中频频率

DC-3 GHz

转换损耗

10 dB

封装类型

表贴

IP3

7 dBm

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Hittite

RF频率

1.7-4.5 GHz

中频频率

DC-1 GHz

转换损耗

8 dB

封装类型

表贴

LO驱动功率

13 dBm

IP3

20 dBm

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Hittite

描述

高IP3，DBL-BAL，0 LO

RF频率

1.6-3.0 GHz

中频频率

DC-1 GHz

转换损耗

8 dB

封装类型

表贴

IP3

25 dBm

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Hittite

描述

下谐波

RF频率

26-33 GHz

中频频率

DC-2.5 GHz

封装类型

裸片，芯片

IP3

11 dBm

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Hittite

描述

下谐波 I/Q混频器，71-86 GHz

RF频率

71000-86000 MHz

中频频率

0-12000 MHz

转换损耗

10 dB

封装类型

裸片，芯片

IP3

13 dBm

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Hittite

描述

高IP3，SGL-END

RF频率

1.7-2.4 GHz

中频频率

0.05-0.3 GHz

转换损耗

9.2 dB

封装类型

表贴

IP3

34 dBm

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Hittite

描述

GaAs MMIC基波混频器模组，11-20 GHz

RF频率

11-20 GHz

LO频率

11-20 GHz

中频频率

DC-6 GHz

转换损耗

7 dB

封装类型

连接器类型模组

IP3

18 dBm

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