Hittite

RF频率

7-20 GHz

中频频率

DC-2 GHz

转换损耗

9 dB

封装类型

表贴

LO驱动功率

10 dBm

IP3

16 dBm

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Hittite

描述

GaAs MMIC I/Q 混频器，24-28 GHz，镜像频率干扰抑制混频器或者单端上变频器

RF频率

24-28 GHz

中频频率

DC-3 GHz

转换损耗

9.5 dB

封装类型

表贴

IP3

17 dBm

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Hittite

描述

I/Q 混频器，IRM

RF频率

8.5-13.5 GHz

中频频率

DC-2 GHz

转换损耗

7.5 dB

封装类型

表贴

IP3

28 dBm

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Hittite

RF频率

9-15 GHz

中频频率

DC-2.5 GHz

转换损耗

8 dB

封装类型

表贴

LO驱动功率

13 dBm

IP3

19 dBm

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Hittite

描述

高IP3，DBL-BAL

RF频率

9-15 GHz

中频频率

DC-2.5 GHz

转换损耗

8 dB

封装类型

表贴

IP3

24 dBm

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Hittite

描述

GaAs MMIC双平衡混频器，下变频器

RF频率

2000-18000 MHz

LO频率

2-18 GHz

中频频率

0-4000 MHz

转换损耗

9-13 dB

封装类型

表贴

LO驱动功率

20 dBm

P1dB

10至13 dBm

IP3

20-23 dBm

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Hittite

RF频率

2.5-7 GHz

中频频率

DC-3 GHz

转换损耗

7 dB

封装类型

表贴

LO驱动功率

15 dBm

IP3

22 dBm

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Hittite

描述

I/Q上变频器/发射机

RF频率

17.7-23.6 GHz

中频频率

DC-3.5 GHz

封装类型

表贴

IP3

35 dBm

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Hittite

描述

GaAs MMIC I/Q 混频器模组，11-16 GHz

RF频率

11-16 GHz

LO频率

11-16 GHz

中频频率

DC-3.5 GHz

转换损耗

9 dB

封装类型

连接器类型模组

IP3

28 dBm

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Hittite

描述

GaAs MMIC I/Q 混频器模组，20-31 GH

RF频率

20-31 GHz

LO频率

20-31 GHz

中频频率

DC-4.5 GHz

转换损耗

10 dB

封装类型

连接器类型模组

IP3

22.5 dBm

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