Hittite

RF频率

1-18 GHz

中频频率

DC-6 GHz

转换损耗

10 dB

封装类型

裸片

LO驱动功率

15 dBm

IP3

21 dBm

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Hittite

描述

高IP3，DBL-BAL，+4 LO

RF频率

1.7-4.0 GHz

中频频率

DC-1 GHz

转换损耗

8 dB

封装类型

表贴

IP3

25 dBm

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Hittite

描述

高IP3，DBL-BAL

RF频率

0.7-1.2 GHz

中频频率

DC-0.3 GHz

转换损耗

9 dB

封装类型

表贴

IP3

25 dBm

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Hittite

描述

GaAs MMIC I/Q 混频器模组，8.5-13.5 GHz

RF频率

8.5-13.5 GHz

LO频率

8.5-13.5 GHz

中频频率

DC-2 GHz

转换损耗

8 dB

封装类型

连接器类型模组

IP3

25 dBm

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Hittite

描述

GaAs MMIC双-平衡混频器，上变频器或者下变频器

RF频率

15-36 GHz

LO频率

20-50 Ghz

中频频率

DC-24 GHz

转换损耗

10 dB

封装类型

裸片

IP3

16至22 dBm

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Hittite

描述

GaAs MMIC双平衡混频器模组，23-37 GHz

RF频率

23-37 GHz

LO频率

23-37 GHz

中频频率

DC-13 GHz

转换损耗

9 dB

封装类型

连接器类型模组

IP3

19 dBm

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Hittite

描述

高IP3，DBL-BAL，0 LO

RF频率

3.1-3.9 GHz

中频频率

DC-0.8 GHz

转换损耗

9 dB

封装类型

表贴

IP3

31 dBm

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Hittite

描述

I/Q 混频器，IRM

RF频率

8.5-13.5 GHz

中频频率

DC-2 GHz

转换损耗

7.5 dB

封装类型

裸片

IP3

28 dBm

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Hittite

描述

GaAs MMIC I/Q 混频器模组，30-38 GHz

RF频率

30-38 GHz

LO频率

30-38 GHz

中频频率

DC-3.5 GHz

转换损耗

10.5 dB

封装类型

连接器类型模组

IP3

19 dBm

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Hittite

描述

4000MHz - 8000MHz，射频、微波双平衡混频器, 10dB最大转换损耗

RF频率

4000MHz - 8000MHz

转换损耗

10dB

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