Hittite
- 描述
- 高IP3,DBL-BAL
- RF频率
- 6-12 GHz
- 中频频率
- DC-4 GHz
- 转换损耗
- 8 dB
- 封装类型
- 表贴
- IP3
- 30 dBm
Hittite
- 描述
- 高IP3,0 LO
- RF频率
- 0.4-0.65 GHz
- 中频频率
- DC-0.25 GHz
- 转换损耗
- 9 dB
- 封装类型
- 表贴
- IP3
- 33 dBm
Hittite
- 描述
- I/Q 混频器,IRM
- RF频率
- 55-64 GHz
- 中频频率
- DC-3 GHz
- 转换损耗
- 9 dB
- 封装类型
- 裸片
- IP3
- 16 dBm
Hittite
- 描述
- GaAs MMIC I/Q 混频器模组,6-10 GHz
- RF频率
- 6-10 GHz
- LO频率
- 6-10 GHz
- 中频频率
- DC-3.5 GHz
- 转换损耗
- 7.5 dB
- 封装类型
- 连接器类型模组
- IP3
- 25 dBm
Hittite
- RF频率
- 21-31 GHz
- 中频频率
- DC-6 GHz
- 转换损耗
- 9 dB
- 封装类型
- 表贴
- IP3
- 13 dBm
Hittite
- RF频率
- 1.2-2.6 GHz
- 中频频率
- DC-1 GHz
- 转换损耗
- 8 dB
- 封装类型
- 表贴
- IP3
- 15 dBm
Hittite
- 描述
- 宽带高IP3双通道 下变频器,0.7-3.5 GHz
- RF频率
- 700-3500 MHz
- 封装类型
- 表贴
- LO驱动功率
- 12 dBm
- P1dB
- 12 dBm
Hittite
- RF频率
- 14-21 GHz
- 中频频率
- DC-3 GHz
- 转换损耗
- 10 dB
- 封装类型
- 裸片,芯片
- IP3
- 7 dBm
Hittite
- 描述
- 高IP3,DBL-BAL
- RF频率
- 1.5-3.5 GHz
- 中频频率
- DC-1 GHz
- 转换损耗
- 8 dB
- 封装类型
- 表贴
- IP3
- 25 dBm
Hittite
- 描述
- I/Q 混频器,IRM
- RF频率
- 35-45 GHz
- 中频频率
- DC-5 GHz
- 转换损耗
- 8 dB
- 封装类型
- 裸片
- IP3
- 17 dBm