中电41所
- 描述
- 频带宽。采用GaAs或GaN等固态器件设计。采用平面合成和空间合成技术,产品最高输出功率达到82W。
- 频率
- 50~66GHz
- 波导尺寸
- WR15
- 增益
- 15dB
- P1dB
- 19dBm
中电41所
- 描述
- 频带宽。采用GaAs或GaN等固态器件设计。采用平面合成和空间合成技术,产品最高输出功率达到54W。
- 频率
- 84~100GHz
- 波导尺寸
- WR10
- 增益
- 14dB
- P1dB
- 1dBm
- 噪声系数
- 6 dB
中电41所
- 描述
- 频带宽。采用GaAs或GaN等固态器件设计。采用平面合成和空间合成技术,产品最高输出功率达到81W。
- 频率
- 26~40GHz
- 波导尺寸
- WR28
- 增益
- 17dB
- P1dB
- 29dBm
- 噪声系数
- 7 dB
中电41所
- 描述
- 频带宽。采用GaAs或GaN等固态器件设计。采用平面合成和空间合成技术,产品最高输出功率达到84W。
- 频率
- 90~100GHz
- 波导尺寸
- WR10
- 增益
- 17dB
- P1dB
- 12.5dBm