ON Semiconductor

描述

肖特基势垒二极管，30V，3A，低 IR ，非整体式双VEC8共阴极

峰值反向电压

30 V

浪涌电流峰值

20 A

电容

90 pF

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ON Semiconductor

描述

肖特基势垒二极管，30V，2A，低 IR ，非整体式双EMH8共阴极

峰值反向电压

30 V

浪涌电流峰值

20 A

电容

0.15 至 0.25 pF

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ON Semiconductor

描述

肖特基二极管 ，UHF ，30 V

峰值反向电压

30 V

电容

0.27 至 0.36 pF

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ON Semiconductor

描述

肖特基势垒二极管，30V，2A，低 VF，非整体式双VEC8共阴极

峰值反向电压

30 V

浪涌电流峰值

10 A

电容

75 pF

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ON Semiconductor

描述

肖特基势垒二极管，60V，1A，低 IR ，非整体式双VEC8共阴极

峰值反向电压

60 V

浪涌电流峰值

10 A

电容

35 pF

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ON Semiconductor

描述

4.47至4.94 V，表面封装，齐纳二极管

齐纳电压

4.47至4.94 V

齐纳电流

50 uA

功率

500 mW

封装类型

表面封装

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ON Semiconductor

描述

48.45至53.55 V，表面封装，齐纳二极管

齐纳电压

48.45至53.55 V

齐纳电流

2.5 mA

功率

500 mW

封装类型

表面封装

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ON Semiconductor

描述

22.8至25.2 V，表面封装，齐纳二极管

齐纳电压

22.8至25.2 V

齐纳电流

5.2 mA

功率

225 mW

封装类型

表面封装

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ON Semiconductor

描述

2.57至2.84 V，表面封装，齐纳二极管

齐纳电压

2.57至2.84 V

齐纳电流

20 mA

功率

500 mW

封装类型

表面封装

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ON Semiconductor

描述

11.4至12.6 V，表面封装，齐纳二极管

齐纳电压

11.4至12.6 V

齐纳电流

100 mA

功率

5 W

封装类型

表面封装

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