HMC539LP3E
- 国家
- United States
- 地址
- Hittite Microwave Corporation 2 Elizabeth Dr, Chelmsford MA 01824, United States
- 电话
- +1 (978) 250-3343
- 传真
- +1 (978) 250-3373
- 官网
- www.hittite.com
- 详情
- Hittite Microwave公司设计和开发高性能的射频微波电路集成电路，模块和子系统，微波和毫米波应用。产品的频率范围为直流到110 GHz。我们已经开发出了模拟，数字和混合信号半导体技术和从设备级到完整的子系统的设计和组装。我们的数字集成电路，射频集成电路和单片微波集成电路产品采用先进设备，最先进的砷化镓（GaAs）和基于硅半导体工艺开发。最先进的这些砷化镓，氮化镓的InGaP用先进设备，最先进的砷化镓（GaAs）和基于硅半导体工艺开发。最先进的这些用先进设备，最先进的砷化镓（GaAs）和基于硅半导体工艺开发。最先进的这些砷化镓，GaN，SOI，SiGe半导体，CMOS和BiCMOS半导体工艺利用MESFET，HEMT，pHEMT制，pHEMT制，HBT和PIN设备。
| 型号 | HMC539LP3E |
| 制造商 | Hittite |
| 描述 | 0MHz-4000MHz 射频、微波可变衰减器 1.7dB最大插入损耗 3×3毫米 符合RoHS要求 塑料 SMT 16 PIN |
| 类型 | 可变衰减器 |
| 频率 | 0 MHz-4GHz |
| 衰减范围 | 7.75 |
| 功率 | 29.03 |
| 封装类型 | LCC16,.12SQ,20 |
| 阻抗 | 50 |
