L-3 Narda-MITEQ

描述

12000 MHz - 15000 MHz，射频、微波镜频抑制混频器, 8.5 dB最大转换损耗

RF频率

12000 MHz - 15000 MHz

转换损耗

8.5dB

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Hittite

描述

GaAs MMIC双平衡混频器模组，24-38 GHz

RF频率

24-38 GHz

LO频率

24-38 GHz

中频频率

DC-8 GHz

转换损耗

8.5 dB

封装类型

连接器类型模组

IP3

20 dBm

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Marki Microwave

描述

双平衡混频器，带LO/RF .01-8 GHz和IF DC-2 GHz

RF频率

100 KHz-8000 MHz

LO频率

100 KHz-8000 MHz

中频频率

2000 MHz

转换损耗

7.5 dB

封装类型

连接器类型模组，表贴

P1dB

4 dBm

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API Technologies - Inmet

描述

800MHz - 2000MHz，射频、微波双平衡混频器, 8dB最大转换损耗

RF频率

800MHz - 2000MHz

转换损耗

8dB

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L-3 Narda-MITEQ

描述

2100 MHz - 2300 MHz，射频、微波镜频抑制混频器, 7 dB最大转换损耗

RF频率

2100 MHz - 2300 MHz

转换损耗

7dB

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Hittite

描述

高IP3宽带下变频器

RF频率

0.6-2.7 GHz

中频频率

0.001-0.6 GHz

转换损耗

1 dB

封装类型

表贴

IP3

26 dBm

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Mini Circuits

描述

10MHz - 1500MHz，射频、微波双平衡混频器, 9.5dB最大转换损耗

RF频率

10MHz - 1500MHz

转换损耗

9.5dB

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Mini Circuits

描述

混频器 同轴 17级 50kHz-10GHz

RF频率

0-7600 MHz

LO频率

0-2300 MHz

中频频率

0-3000 MHz

转换损耗

6.2-8.5 dB

封装类型

连接器类型模组

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L-3 Narda-MITEQ

描述

16000 MHz - 19000 MHz，射频、微波镜频抑制混频器, 9 dB最大转换损耗

RF频率

16000 MHz - 19000 MHz

转换损耗

9dB

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API Technologies - Inmet

描述

4000MHz - 8000MHz，射频、微波镜频抑制混频器, 8dB最大转换损耗

RF频率

4000MHz - 8000MHz

转换损耗

8dB

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