United Monolithic Semiconductors

描述

17.00-24.00 GHz-6.5-14.0 GHz，下变频混频器

RF频率

17.00-24.00 GHz

LO频率

6.5-14.0 GHz

中频频率

DC-3.5 GHz

转换损耗

11 dB

封装类型

表贴

LO驱动功率

0 dBm

供电电压

4 V

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L-3 Narda-MITEQ

描述

8000 MHz - 12500 MHz，射频、微波双平衡混频器, 6.5 dB最大转换损耗

RF频率

8000 MHz - 12500 MHz

转换损耗

6.5dB

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Mini Circuits

描述

混频器 同轴 17级 50kHz-10GHz

RF频率

0-600 MHz

LO频率

0-2 MHz

中频频率

0-600 MHz

转换损耗

5.9-8 dB

封装类型

连接器类型模组

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API Technologies - Inmet

描述

8000MHz - 18000MHz，射频、微波镜频抑制混频器, 10dB最大转换损耗

RF频率

8000MHz - 18000MHz

转换损耗

10dB

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Mini Circuits

描述

高可靠性混频器

RF频率

0-1000 MHz

LO频率

0-300 MHz

中频频率

0-800 MHz

转换损耗

6.4-7.8 dB

封装类型

表贴

P1dB

5 dBm

IP3

18 dBm

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L-3 Narda-MITEQ

RF频率

2 GHz 至 26GHz

LO频率

2 GHz 至 26GHz

中频频率

40 MHz 至 80 MHz

转换损耗

11 dB

LO驱动功率

18 dBm

P1dB

15 dBm

IP3

25 dBm

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L-3 Narda-MITEQ

RF频率

8 GHz 至 12GHz

LO频率

8 GHz 至 12GHz

中频频率

40 MHz 至 80 MHz

LO驱动功率

11.5 dBm

P1dB

-24 dBm

IP3

-14 dBm

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Analog Devices

RF频率

6-26 GHz

LO频率

16 - 26 GHz

中频频率

DC - 10 GHz

转换损耗

9 dB

封装类型

表贴

LO驱动功率

13 dBm

P1dB

10 - 11 dBm

IP3

22 dBm

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L-3 Narda-MITEQ

描述

1500 MHz - 2000 MHz，射频、微波镜频抑制混频器, 7 dB最大转换损耗

RF频率

1500 MHz - 2000 MHz

转换损耗

7dB

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Analog Devices

描述

I/Q 混频器 / IRM

RF频率

15 - 23.6 GHz

LO频率

21 - 23 GHz

中频频率

DC - 3.5 GHz

转换损耗

8 dB

封装类型

表贴

LO驱动功率

17 dBm

P1dB

15 - 18 dBm

IP3

25 dBm

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