IDTF1100

Integrated Device Technology

描述
650-1000 MHz,9 dB,下变频混频器
RF频率
650-1000 MHz
中频频率
150-450 MHz
封装类型
连接器类型模组
IP3
41 dBm
供电电压
4.75至5.25 V

HMC488MS8G

Analog Devices

RF频率
4-6 GHz
LO频率
4 - 7 GHz
中频频率
DC - 2.5 GHz
转换损耗
7 dB
封装类型
表贴
LO驱动功率
2 dBm
P1dB
5 - 9 dBm
IP3
15 dBm

LRMS-2R-TR+

Mini Circuits

描述
5MHz - 1000MHz,射频、微波双平衡混频器, 10dB最大转换损耗
RF频率
5MHz - 1000MHz
转换损耗
10dB

IQ-0255

Marki Microwave

RF频率
2-5.5 GHz
LO频率
2-5.5 GHz
中频频率
0-500 MHz
转换损耗
5.5 dB
封装类型
连接器类型模组

920E

MI-WAVE

描述
60 至 90 GHz,谐波混频器
RF频率
60 至 90 GHz
LO频率
8000 至 12000 MHz
中频频率
60 至 90 GHz
封装类型
带连接器模组
LO驱动功率
18 dBm

SM6V

MACOM

RF频率
0.4-500 MHz
LO频率
0.4-500 MHz
中频频率
0-500 MHz

M67

MACOM

RF频率
9000-15000 MHz
LO频率
9000-15000 MHz
中频频率
0-2500 MHz

ME-1

Spacek Labs

描述
宽带下变频混频器
RF频率
60-90 GHz
LO频率
60-90 GHz
中频频率
DC-2 GHz
转换损耗
7.0 / 10.5 dB
封装类型
连接器类型模组

RMS-5H

Mini Circuits

描述
混频器 表面贴装 15-17级 150kHz-21.5GHz
RF频率
0-1500 MHz
LO频率
0-10 MHz
中频频率
0-900 MHz
转换损耗
6.36-9.8 dB
封装类型
表贴
P1dB
14 dBm
IP3
24 dBm

TUF-R2MHSM

Mini Circuits

描述
高可靠性混频器
RF频率
0-1000 MHz
LO频率
0-50 MHz
中频频率
0-1000 MHz
转换损耗
6-7.5 dB
封装类型
表贴
P1dB
9 dBm
IP3
19 dBm

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