MACOM
- 描述
- 0.8至1.2 pF,变容二极管
- 电容
- 0.8至1.2 pF
- 前向连续电流
- 50 mA
- 峰值反向电压
- 30V
- 封装类型
- 表贴
Infineon Technologies
- 描述
- 20.25 pF (CT1),9.8 pF(CT2),变容二极管
- 电容
- 20.25 pF (CT1),9.8 pF(CT2)
- 前向连续电流
- 50.0 mA
- 峰值反向电压
- 15 V
- 封装类型
- 表贴
MACOM
- 描述
- 6.2 pF,低电压/高损耗硅超突变结,变容二极管
- 电容
- 6.2 pF
- 前向连续电流
- 50 mA
- 峰值反向电压
- 12 V
- 封装类型
- 表贴
MACOM
- 描述
- 9.5 pF,低电压/高损耗硅超突变结,变容二极管
- 电容
- 9.5 pF
- 前向连续电流
- 50 mA
- 峰值反向电压
- 12 V
- 封装类型
- 表贴
MACOM
- 描述
- 0.5 pF,低电压/高损耗硅超突变结,变容二极管
- 电容
- 0.5 pF
- 前向连续电流
- 50 mA
- 峰值反向电压
- 12 V
- 封装类型
- 表贴
Skyworks
- 描述
- 突变变容二极管芯片
- 电容
- 19 pF@Vr=1 V,11.2 pF@Vr=4 V,7.1 pF@Vr=10 V
- 前向连续电流
- 20 mA
- 封装类型
- 表贴
MACOM
- 描述
- 3 pF,低电压/高损耗硅超突变结,变容二极管
- 电容
- 3 pF
- 前向连续电流
- 50 mA
- 峰值反向电压
- 12 V
- 封装类型
- 表贴
Infineon Technologies
- 描述
- 18.6 pF (CT1),15.0 pF(CT2),变容二极管
- 电容
- 18.6 pF (CT1),15.0 pF(CT2)
- 前向连续电流
- 20.0 mA
- 峰值反向电压
- 16 V
- 封装类型
- 表贴
MACOM
- 描述
- 5 pF,低电压/高损耗硅超突变结,变容二极管
- 电容
- 5 pF
- 前向连续电流
- 50 mA
- 峰值反向电压
- 12 V
- 封装类型
- 表贴