Infineon Technologies
- 描述
- 18.3 pF (CT1),12.35 pF(CT2),变容二极管
- 电容
- 18.3 pF (CT1),12.35 pF(CT2)
- 前向连续电流
- 20.0 mA
- 峰值反向电压
- 10 V
- 封装类型
- 表贴
Skyworks
- 描述
- 超突变结,变容二极管
- 电容
- 17.81 pF@Vr=1 V,5 pF@Vr=4 V,@Vr=10 V
- 前向连续电流
- 20 mA
- 封装类型
- 表贴
MACOM
- 描述
- 5 pF,低电压/高损耗硅超突变结,变容二极管
- 电容
- 5 pF
- 前向连续电流
- 50 mA
- 峰值反向电压
- 12 V
- 封装类型
- 表贴
MACOM
- 描述
- 28 pF,低电压/高损耗硅超突变结,变容二极管
- 电容
- 28 pF
- 前向连续电流
- 50 mA
- 峰值反向电压
- 12 V
- 封装类型
- 表贴
MACOM
- 描述
- 12 pF,低电压/高损耗硅超突变结,变容二极管
- 电容
- 12 pF
- 前向连续电流
- 50 mA
- 峰值反向电压
- 12 V
- 封装类型
- 表贴
Skyworks
- 描述
- 超突变结,变容二极管
- 电容
- 18.5 pF@Vr=1 V,2 pF@Vr=20 V
- 前向连续电流
- 20 mA
- 封装类型
- 表贴
MACOM
- 描述
- 1 pF,低电压/高损耗硅超突变结,变容二极管
- 电容
- 1 pF
- 前向连续电流
- 50 mA
- 峰值反向电压
- 12 V
- 封装类型
- 表贴
MACOM
- 描述
- 5 pF,低电压/高损耗硅超突变结,变容二极管
- 电容
- 5 pF
- 前向连续电流
- 50 mA
- 峰值反向电压
- 12 V
- 封装类型
- 表贴