MACOM
- 描述
- 0.6 pF，低电压/高损耗硅超突变结，变容二极管
- 电容
- 0.6 pF
- 前向连续电流
- 50 mA
- 峰值反向电压
- 12 V
- 封装类型
- 表贴
MACOM
- 描述
- 0.06 pF，低电压/高损耗硅超突变结，变容二极管
- 电容
- 0.06 pF
- 前向连续电流
- 50 mA
- 峰值反向电压
- 12 V
- 封装类型
- 表贴
Skyworks
- 描述
- 突变变容二极管芯片
- 电容
- 2.94 pF@Vr=1 V，1.88 pF@Vr=4 V，1.28 pF@Vr=10 V，0.95 pF@ Vr=30 V
- 前向连续电流
- 20 mA
- 封装类型
- 表贴
MACOM
- 描述
- 28.3 pF，低电压/高损耗硅超突变结，变容二极管
- 电容
- 28.3 pF
- 前向连续电流
- 50 mA
- 峰值反向电压
- 12 V
- 封装类型
- 表贴
MACOM
- 描述
- 0.3 pF，低电压/高损耗硅超突变结，变容二极管
- 电容
- 0.3 pF
- 前向连续电流
- 50 mA
- 峰值反向电压
- 12 V
- 封装类型
- 表贴
Infineon Technologies
- 描述
- 43.75 pF (CT1)，11.7 pF(CT2)，变容二极管
- 电容
- 43.75 pF (CT1)，11.7 pF(CT2)
- 前向连续电流
- 50.0 mA
- 峰值反向电压
- 18 V
- 封装类型
- 表贴
Infineon Technologies
- 描述
- 5.3 pF (CT1)，2.4 pF(CT2)，变容二极管
- 电容
- 5.3 pF (CT1)，2.4 pF(CT2)
- 前向连续电流
- 20.0 mA
- 峰值反向电压
- 6 V
- 封装类型
- 表贴
