NXP Semiconductors
- 描述
- 28.2至33.5 pF,低电压变容二极管
- 电容
- 28.2至33.5 pF
- 前向连续电流
- 10 mA
- 峰值反向电压
- 6 V
- 封装类型
- 表贴
Skyworks
- 描述
- 超突变结,变容二极管
- 电容
- 5.88 pF@Vr=1 V,3.44 pF@Vr=4 V,2.24 pF@Vr=10 V,1.5 pF@ Vr=30 V,1.15 pF@Vr=20 V
- 前向连续电流
- 100 mA
- 封装类型
- 表贴
Infineon Technologies
- 描述
- 39.0 pF (CT1),30.2 pF(CT2),变容二极管
- 电容
- 39.0 pF (CT1),30.2 pF(CT2)
- 前向连续电流
- 20.0 mA
- 峰值反向电压
- 30 V
- 封装类型
- 表贴
MACOM
- 描述
- 4.7 pF,低电压/高损耗硅超突变结,变容二极管
- 电容
- 4.7 pF
- 前向连续电流
- 50 mA
- 峰值反向电压
- 12 V
- 封装类型
- 表贴
Skyworks
- 描述
- 超突变结,变容二极管
- 电容
- 8.6 pF@Vr=1 V,3.6 pF@Vr=4 V,1.4 pF@Vr=10 V,0.94 pF@ Vr=30 V,0.69 pF@Vr=20 V
- 前向连续电流
- 20 mA
- 封装类型
- 表贴